"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние давления на свойства границы раздела Si-стекло
Власов С.И.1, Эргашева М.А.1, Адылов Т.П.1
1Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
Email: vlasov@uzcsi.net
Поступила в редакцию: 10 января 2005 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Исследовано влияние всестороннего гидростатичеcкого сжатия на энергетическое распределение поверхностных состояний, локализованных на границе раздела полупроводник (Si)-стекло (PbO--SiO2--B2O3--Al2O3--Ta2O5). Показано, что при давлениях 8 kbar в слое стекла, прилегающего к полупроводнику, образуется донорный центр, способный обмениваться электронами с полупроводником.
  1. Парчинский П.Б., Власов С.И. Микроэлектроника. 2001. Т. 30. N 6. С. 466--470
  2. Парчинский П.Б., Власов С.И., Тургунов У.Т. Неорганические материалы. 2002. Т. 38. N 6. С. 750--754
  3. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л., 1981. 176 с
  4. Gorban A.P., Litovchenko V.G., Peikov P.Ch. // Phys. Stat. Sol. 1973. V. A10. N 1. P. 289--297
  5. Власов С.И., Эргашева М.А., Адылов Т.П. Материалы конференции "Фотоэлектрические явления в полупроводниках". Ташкент, 2004. С. 71--72
  6. Власов С.И., Зайнабидинов С.З., Каримов И.Н. // ФТП. 1987. Т. 21. В. 4. С. 762--764
  7. Власов С.И., Парчинский П.Б., Лигай Л.Г. // Микроэлектроника. 2003. Т. 32. N 2. С. 121--123
  8. Берман Л.С., Власов С.И., Морозов В.Ф. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1978. Т. 42. N 6. С. 1175--1178
  9. Chen J.W., Milnes A.G. Annual review of materials science. 1980. V. 10. P. 157--228

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.