"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Влияние гамма-облучения на свойства InSe-фотодиодов
Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Сидор О.Н., Хомяк В.В.
Email: semicon@chnu.cv.ua
Поступила в редакцию: 29 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Исследовано влияние gamma-облучения (60Co) на фотоэлектрические параметры InSe-диодов, изготовленных методом прямого оптического контакта p- и n-типа полупроводника. Проникающее излучение приводит к образованию в базовом материале радиационных дефектов акцепторного типа, однако не имеет существенного деструктивного влияния на энергетический барьер. В то же время облученные фотодиоды обнаруживают улучшение фотоэлектрических параметров: увеличение напряжения холостого хода и тока короткого замыкания.
  1. Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1988. 192 с
  2. Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. Л.С. Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977. 256 с
  3. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск: Наука и техника, 1978. 231 с
  4. Kuznicki Z.T., Maschke K., Schmid Ph.E. // J. Phys. C: Sol. State Phys. 1979. V. 12. N 18. P. 3749--3753
  5. Terhell J.C. // Progr. Cryst. Growth and Charact. 1983. V. 7. P. 55--100
  6. Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. // ФТП. 1977. Т. 11. N 10. С. 2000--2002
  7. Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. // ФТП. 1991. Т. 25. N 11. С. 954--957
  8. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. Кн. 2. М.: Мир, 1984. 456 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.