"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Мониторинг интенсивности люминесценции туннельной МОП-структуры с пространственно неоднородной толщиной диэлектрика
Тягинов С.Э.1,2, Асли Н.1,2, Векслер М.И.1,2, Шулекин А.Ф.1,2, Сеегебрехт П.1,2, Грехов И.В.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Кафедра Полупроводниковой техники Технического факультета Университета г. Киля
Email: shulekin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Измерены зависимости интенсивности электролюминесценции туннельной МОП-структуры Al/SiO2/p-Si от времени. Показано, что анализ этих зависимостей в некоторых случаях может дать более точную информацию о состоянии окисла, чем анализ эпюр тока.
  1. Degraeve R. Reliability of Ultra-Thin Oxide Gate Dielectrics (tutorial) // 9-=SUP=-th-=/SUP=- European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis. Leuven, IMEC, 1998
  2. Houssa M., Vandewalle N., Nigam T., Ausloos M., Mertens P.W., Heyns M.M. // IEDM Tech. Dig. 1998. P. 909--912
  3. Шулекин А.Ф., Тягинов С.Э., Khlil R., El Hdiy A., Векслер М.И. // ФТП. 2004. Т. 38. В. 6. С. 753--756
  4. Cartier E., Tsang J.C., Fischetti M.V., Buchanan D.A. // Microelectron. Eng. 1997. V. 36. P. 103--106
  5. Asli N., Vexler M.I., Shulekin A.F., Seegebrecht P. // Semicond. Sci. Technol. 2003. V. 18. P. 147--153
  6. Momose H.S., Nakamura S., Ohguro T., Yoshitomi T., Morifuji E., Morimoto T., Katsumata Y., Iwai H. // IEEE Trans. Electron Devices. 1998. V. ED-45. N 3. P. 691--700
  7. Asli N. Experimentelle Untersuchung der Elektrolumineszenz von MOS-Tunnelstrukturen. Ph. D. Dissertation. Kiel Univ., Germany, 2004. 156 S

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.