Электронные и оптические свойства аморфных пленок a-C< N> с гранулированной структурой
Варюхин В.Н.1, Дьяченко Т.А.1, Окунев В.Д.1, Пафомов Н.Н.1, Плехов А.Л.1, Шемченко Е.И.1
1Донецкий физико-технический институт НАН Украины
Email: okunev@mail.fti.ac.donetsk.ua
Поступила в редакцию: 12 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.
Исследованы углеродные аморфные пленки a-C<N>, полученные методом магнетронного распыления графитовой мишени в атмосфере азота с температурными зависимостями электропроводности (lnsigma~ T1/2 при T<280 K), характерными для гранулированных систем. Из измерений термо-ЭДС, проводимости и оптического поглощения сделан вывод о том, что гранулированная структура пленок обусловлена наличием в углеродной (С) графитоподобной матрице кластеров с металлической проводимостью нанометрового размера, образующихся на основе gamma-углерода. Их концентрация экспоненциально увеличивается с ростом температуры осаждения.
- Smith F.W. // J. J. Appl. Phys. 1984. V. 55. N 3. P. 764--771
- Liu A.Y., Cohen M.L. // Science. 1989. V. 245. P. 841--842
- Sjostrom H., Stafstrom S., Boman M. et al. // Phys. Rev. Lett. 1995. V. 75. N 7. P. 1336--1339
- Шемченко Е.И., Шалаев Р.В., Пашинская Е.Г. // ФТВД. 2001. Т. 11. N 2. С. 83--85
- Сморгонская Э.А., Звонарева Т.К., Иванова Е.И. и др. // ФТТ. 2003. Т. 45. В. 9. С. 1579--1589
- Иванов-Омский В.И., Криворотов И.Н., Ястребов С.Г. // ЖТФ. 1995. Т. 65. В. 9. С. 121--135
- Иванов-Омский В.И., Толмачев А.В., Ястребов С.Г. // ФТП. 2001. Т. 32. В. 2. С. 227--232
- Llie A., Ferrari A.C., Yagi T. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. N 4. P. 2024--2031
- Rodil S.E., Ferrari A.C., Robertson J. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. N 10. P. 5425--5430
- Забродский А.Г., Зиновьева К.Н. // ЖЭТФ. 1984. Т. 86. В. 2. С. 727--742
- Брандт Н.Б., Демишев С.В., Дмитриев А.А. и др. // ЖЭТФ. 1984. Т. 86. В. 4. С. 1446--1460
- Мейлихов Е.З. // ЖЭТФ. 1999. Т. 115. В. 4. С. 1484--1496
- Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 416 с
- Двуреченский А.В., Рязанцев И.А., Дравин В.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т. 43. В. 1. С. 46--48
- Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. Т. 1. 368 с
- Демишев С.В., Пронин А.А., Глушков В.В. и др. // Псьма в ЖЭТФ. 2003. Т. 78. В. 2. С. 984--993
- Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Abal'oshev A. et al. // Physics Letters A. 2004. V. 325. P. 79--85
- Ханикаев А.Б., Грановский А.Б., Клерк Ж.П. // ФТТ. 2002. Т. 44. В. 9. С. 1537--1539
- Окунев В.Д. // ФТТ. 1992. Т. 34. В. 4. С. 1263--1269
- Бонч-Бруевич В.Л. // УФН. Т. 140. В. 4. С. 583--637
- Redfield D. // Sol. State Commun. 1982. V. 44. N 9. P. 1347--1353
- Silver M., Pautmeier L., Bassler H. // Sol. State Commun. 1989. V. 72. N 2. P. 177--180
- Петров Ю.И. Физика малых частиц. М.: Наука, 1982. 359 с
- Kreibig. // J. Phys. F4. 1974. P. 999--1014
- Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Киев: Наук. думка, 1975. 704 с
- Палатник Л.С., Гусева М.Б., Габаев В.Г. и др. // ЖЭТФ. 1984. Т. 87. В. 3. С. 914--917
- Окунев В.Д., Самойленко З.А. // Письма в ЖЭТФ. 1991. Т. 53. В. 1. С. 42--45
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук