"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Применение собственного оксида арсенида галлия для создания изоляции активных элементов интегральных схем на GaAs
Лежава Н.Г.1, Бибилашвили А.П.1, Герасимов А.Б.1
1Тбилисский государственный университет им. И. Джавахишвили, Грузия
Email: amiranbib@yahoo.com
Поступила в редакцию: 19 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Использование собственного оксида арсенида галлия, полученного плазменным анодированием с применением ультрафиолетового (УФ) облучения в процессе его формирования, для создания изоляции активных элементов интегральных схем на GaAs является оригинальным методом, ранее не применявшимся. Метод позволяет значительно понизить токи утечки и эффект управления по подложке, повысить термостабильность и напряженность поля пробоя, сохраняя при этом планарность поверхности структур.
  1. Хведелидзе Л.В., Хучуа Н.П. // Зарубежная электронная техника. 1987. N 9. С. 69--94
  2. Spiram S., Das M.B. // Sol. St. Electr. 1985. V. 28. N 1. P. 979--985
  3. Chang E.Y., Fuh C.S., Meng C.Cc., Wang K.B., Chen S.H. // IEEE Trans Electr. Dev. 2000. V. 37. N 6. P. 1134--1139
  4. Барасьев С.В., Бибилашвили А.П., Герасимов А.Б. // Способ получения окисла на арсениде галлия. А.с. N 1172412. HO1 L24, приор. 4.08.82., зарег. 8.04.85. СССР

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.