Применение собственного оксида арсенида галлия для создания изоляции активных элементов интегральных схем на GaAs
Лежава Н.Г.1, Бибилашвили А.П.1, Герасимов А.Б.1
1Тбилисский государственный университет им. И. Джавахишвили, Грузия
Email: amiranbib@yahoo.com
Поступила в редакцию: 19 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
Использование собственного оксида арсенида галлия, полученного плазменным анодированием с применением ультрафиолетового (УФ) облучения в процессе его формирования, для создания изоляции активных элементов интегральных схем на GaAs является оригинальным методом, ранее не применявшимся. Метод позволяет значительно понизить токи утечки и эффект управления по подложке, повысить термостабильность и напряженность поля пробоя, сохраняя при этом планарность поверхности структур.
- Хведелидзе Л.В., Хучуа Н.П. // Зарубежная электронная техника. 1987. N 9. С. 69--94
- Spiram S., Das M.B. // Sol. St. Electr. 1985. V. 28. N 1. P. 979--985
- Chang E.Y., Fuh C.S., Meng C.Cc., Wang K.B., Chen S.H. // IEEE Trans Electr. Dev. 2000. V. 37. N 6. P. 1134--1139
- Барасьев С.В., Бибилашвили А.П., Герасимов А.Б. // Способ получения окисла на арсениде галлия. А.с. N 1172412. HO1 L24, приор. 4.08.82., зарег. 8.04.85. СССР
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук