Электронная структура и элементный состав тонких пленок, формирующихся при осаждении европия на поверхность Si(100)2x1 при комнатной температуре
Варыхалов А.Ю.1, Кузьмин М.В.1, Митцев М.А.1
1BESSY, Albert-Einstein-Str. 15,, Berlin, Germany Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Email: m.mittsev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
С помощью синхротронного излучения получены фотоэлектронные спектры тонкопленочных структур Eu-Si(100), формируемых путем осаждения европия на поверхность кремния при комнатной температуре. Анализ этих спектров показал, что нанесение уже небольших количеств металла (theta=0.2 монослоя) приводит к разрушению асимметричных димеров, исходно существовавших на реконструированной поверхности Si(100)2x1. Данные, полученные с помощью фотоэлектронной спектроскопии, совместно с данными структурных исследований показали также, что напыление европия сопровождается образованием неупорядоченных металлических пленок, в которых растворены атомы Si. Концентрация последних убывает по мере удаления от границы раздела кремний-европий. Фотоэлектронные спектры остовного 2p-уровня растворенных атомов смещены относительно аналогичных спектров для чистой поверхности кремния в область меньших энергий связи. Это смещение обусловлено перетеканием заряда от электроположительных атомов Eu к электроотрицательным атомам Si.
- Cheng C.-P., Hong I.-H., Pi T.-W. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. N 7. P. 4066--4071.
- Nakamura K., Yeom H.W., Koh H. et al. // Phys. Rev. B. 2002. V. 65. P. 165332 (7 pages)
- Gallego J.M., Garcia J.M., Alvares J., Miranda R. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. N 20. P. 13339--13344
- Kammerer R., Barth J., Gerken F. et al. // Sol. St. Comm. 1982. V. 41. N 5. P. 435--438
- Gerken F., Flodstrom A.S., Barth J. et al. // Physica Scripta. 1985. V. 32. N 1. P. 43--57
- Olson C.G., Wu X., Chen Z. L. et al. // Phys. Rev. Lett. 1995. V. 74. N 6. P. 992--995
- Wahl R., Schneider W., Molodtsov S.L. et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 82. N 3. P. 670
- Карлсон Т.А. Фотоэлектронная и Оже-спектроскопия. Л.: Машиностроение, 1981. 432 с
- Yen J.J., Lindau I. // Atomic Data and Nuclear Data Tables. 1985. V. 32. N 1. P. 1--155
- Gerken F., Barth J., Kammerer R. et al. // Surf. Sci. 1982. C. 117. N 1--3. P. 468--474
- Свойства элементов (справочник). Ч. I / Под ред. Г.В. Самсонова. М.: Металлургия, 1976. 599 с
- Riviere J.C., Netzer F.P., Rosina G. et al. // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 1985. V. 36. N 4. P. 331--374
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук