Явление самоотражения плоскопараллельной пластинки полупроводника при двухфотонном возбуждении биэкситонов
	
	
	
Надькин Л.Ю.1, Хаджи П.И.1
1Приднестровский государственный университет им. Т.Г. Шевченко, Тирасполь, Молдова 

 Email: tdsu4@idknet.com
 
	Поступила в редакцию: 7 апреля 2004 г.
		
	Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.
		
		
Показано, что имеет место усиление мультистабильного пропускания тонкой пластинки полупроводника при учете двухфотонного возбуждения биэкситонов, что обусловлено проявлением эффекта самоотражения распространяющейся волны.
-  Roco-Franko L. // Phys. Rev. Lett. 1985. V. 55. P. 2149; J. Opt. Soc. Amer. 1987. B4. P. 1878
 
-  Malyshev V., Jarque E.C. // J. Opt. Soc. Amer. 1995. B12. P. 1868
 
-  Малышев В.А., Харке Д.К. // Опт. и спектр. 1997. Т. 82. С. 630
 
-  Forysiak W., Flesch R.G., Moloney J.V., Wright E.M. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 76. P. 3695
 
-  Ляхомская К.Д., Хаджи П.И. // ЖТФ. 2000. Т. 70. С. 89
 
-  Ляхомская К.Д., Хаджи П.И. // Квантовая электроника. 1999. Т. 29. С. 43
 
-  Ляхомская К.Д., Хаджи П.И., Марков Д.А. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. В. 7. С. 18
 
-  Ляхомская К.Д., Надькин Л.Ю., Хаджи П.И. // Квантовая электроника. 2001. Т. 31. С. 67
 
-  Ляхомская К.Д., Надькин Л.Ю., Хаджи П.И. // Оптика и спектроскопия. 2002. Т. 92. С. 301
 
-  Khadzhi P.I., Nadkin L.Yu., Lyakhomskaya K.D. // IQEC 2002. Technical Digest of International Quantum Electronic Conference. Moscow, Russia, June 22-27, 2002. P. 237
 
 
		
			Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
		
		
			Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.