Пассивация кремния двухслойными диэлектрическими пленками из оксида иттербия и оксида диспрозия
Родионов М.А.1, Рожков В.А.1, Пашин А.В.1
1Самарский государственный университет Самарская архитектурно-строительная академия
Email: rozhkov@ssu.samara.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Исследованы рекомбинационные свойства кремния, пассивированного двухслойными диэлектрическими пленками из оксида иттербия и оксида диспрозия. Установлено, что после нанесения двухслойной пленки из оксидов редкоземельных элементов эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, измеренное методом релаксации нестационарной фотопроводимости, возрастает в 2-3 раза. Определены величины скорости поверхностной рекомбинации на границе раздела кремний-оксид редкоземельного элемента. Показана перспективность применения двухслойных диэлектрических пленок из оксидов редкоземельных элементов в качестве пассивирующих покрытий кремниевых полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем.
- Родионов М.А. // Тез. докл. V Всерос. молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике.С.-Петербург: СПбГПУ, 2003. С. 111
- Рожков В.А., Родионов М.А. // Тез. докл. II Междунар. науч.-техн. конференции "Физика и технические приложения волновых процессов". Самара, 2003. С. 358--361
- Фаренбрух А., Бьюб Р. Солнечные элементы: Теория и эксперимент / Под ред. М.М. Колтуна. М.: Энергоатомиздат, 1987. 280 с
- Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, 1971. 480 с
- Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник. Киев: Наук. думка, 1978. 316 с
- Саченко А.В., Новоминский Б.А., Калшабеков А.С. // Тез. докл. XII Всесоюз. науч. конф. по микроэлектронике. Ч. 3. Тбилиси, 1987. С. 143
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук