Исследованы рекомбинационные свойства кремния, пассивированного двухслойными диэлектрическими пленками из оксида иттербия и оксида диспрозия. Установлено, что после нанесения двухслойной пленки из оксидов редкоземельных элементов эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, измеренное методом релаксации нестационарной фотопроводимости, возрастает в 2-3 раза. Определены величины скорости поверхностной рекомбинации на границе раздела кремний-оксид редкоземельного элемента. Показана перспективность применения двухслойных диэлектрических пленок из оксидов редкоземельных элементов в качестве пассивирующих покрытий кремниевых полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.