Вышедшие номера
Пассивация кремния двухслойными диэлектрическими пленками из оксида иттербия и оксида диспрозия
Родионов М.А.1, Рожков В.А.1, Пашин А.В.1
1Самарский государственный университет Самарская архитектурно-строительная академия
Email: rozhkov@ssu.samara.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Исследованы рекомбинационные свойства кремния, пассивированного двухслойными диэлектрическими пленками из оксида иттербия и оксида диспрозия. Установлено, что после нанесения двухслойной пленки из оксидов редкоземельных элементов эффективное время жизни неравновесных носителей заряда, измеренное методом релаксации нестационарной фотопроводимости, возрастает в 2-3 раза. Определены величины скорости поверхностной рекомбинации на границе раздела кремний-оксид редкоземельного элемента. Показана перспективность применения двухслойных диэлектрических пленок из оксидов редкоземельных элементов в качестве пассивирующих покрытий кремниевых полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем.