Влияние водорода на электропроводность оксида олова, легированного иттрием
Золотухин И.В.1, Калинин Ю.Е.1, Самохина О.И.1, Ситников А.В.1
1Воронежский государственный технический университет
Email: kalinin@ns1.vstu.ac.ru
Поступила в редакцию: 22 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Методом ионно-лучевого распыления получены аморфные пленки оксида олова, легированные иттрием, которые после кристаллизации приобретают нанокристаллическую структуру. Показано, что введение иттрия в диоксид олова приводит к росту температуры кристаллизации и при содержании более 1 at.% резко повышает чувствительность к водороду. Нанокристаллические пленки олова, легированные иттрием, могут служить в качестве чувствительной к водороду среды.
- Гаськов А.М., Румянцева М.Н. // Неорганические материалы. 2000. N 3. С. 369--378
- Kohl D. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. V. 34. P. R125--R149
- Башкиров Л.А., Барби У., Гунько Ю.К. и др. // Актуальные проблемы физики твердого тела. Минск: Беларуская навука, 2003. С. 146--162
- Гусев А.И. // УФН. 1998. Т. 168. N 1. С. 55--83
- Максимова Н.П., Катаев Ю.Г., Черников Е.В. // ЖФХ. 1997. Т. 71. N 8. С. 1492--1496
- Калинин Ю.Н., Пономаренко А.Т., Ситников А.В., Стогней О.В. // Физика и химия обработки материалов. 2001. N 5. С. 14--20
- Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 672 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук