"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Латеральный эмиттер как базовый элемент интегральной эмиссионной электроники
Гаврилов С.А.1, Ильичев Э.А.1, Козлитин А.И.1, Полторацкий Э.А.1, Рычков Г.С.1, Дзбановский Н.Н.1, Дворкин В.В.1, Суетин Н.В.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина", Москва Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета
Email: polt@niifp.ru
Поступила в редакцию: 22 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Основным элементом эмиссионной электроники, определяющим возможности приборов, является полевой эмиттер. Предлагается латеральный эмиттер на основе углеродных нанотрубок для эмиссионной интегральной микроэлектроники. Исследованы зависимости эмиссионного тока от тянущего и управляющих полей и показано, что латеральный эмиттер может быть использован во всех микроэлектронных аналогах вакуумных приборов от сверхвысокочастотных до плоских экранов, при этом технология изготовления приборов является интегральной.
  • Hsu D.S.Y. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. P2988--2990
  • Li D., Zhang J. // J. Vac. Sci. Technol. 2001. V. 19 (5). P. 1820--1823
  • Teh A.S., Lee S.-B., Teo K.B.K. // Microelectronic Engineering. 2003. N 67--68. P. 789--796
  • Gavrilov S.A., Dzbanovsky N.N., Dvorkin V.V. et al. // Proceedings of 11th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, Russia. June 23-28, 2003. P. 234--236
  • Gavrilov S.A., Dzbanovsky N.N., Dvorkin V.V. et al. // Abstr. Int. Conf. "Micro- and nanoelectronics-2003", October 6-10. Moscow--Zvenigorod, Russia, 2003. P. 01--27
  • Huczko A. // Appl. Phys. 2002. A74. P. 617--638
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.