Моделирование процесса удаления примесей из полупроводниковых пластин в неоднородном температурном поле
Рудаков В.И.1, Башмаков А.В.1, Овчаров В.В.1
1Институт микроэлектроники и информатики РАН, Ярославль
Email: vir@uniyar.ac.ru
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.
Показано, что при высоких значениях градиента температуры, приложенного перпендикулярно поверхностям полупроводниковой пластины, можно добиться выхода примеси, распределенной в приповерхностной области пластины, на ее поверхность. Проведено машинное моделирование термодиффузии примеси из гауссова источника, залегающего в приповерхностной области, и для случая равномерного распределения примеси. Получены кривые, иллюстрирующие накопление примеси вблизи поверхности, и найдены стационарные решения, совпадающие в обоих случаях при условии одинакового количества загнанной примеси.
- Технология СБИС / Пер. с англ. Под ред. С. Зи. В 2-х кн. Кн. 1 М.: Мир, 1986. 404 c
- Каменецкая Д.С., Пилецкая И.Б., Ширяев В.И. // Докл. Академии наук СССР. 1968. Т. 178. N 2. С. 323--326
- Рудаков В.И., Денисенко Ю.Н., Мочалов Б.В. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. N 5. С. 367--373
- Rudakov V.I., Ovcharov V.V. // Int. J. Heat Mass Transfer. 2002. V. 45. P. 743--753
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук