Показано, что при высоких значениях градиента температуры, приложенного перпендикулярно поверхностям полупроводниковой пластины, можно добиться выхода примеси, распределенной в приповерхностной области пластины, на ее поверхность. Проведено машинное моделирование термодиффузии примеси из гауссова источника, залегающего в приповерхностной области, и для случая равномерного распределения примеси. Получены кривые, иллюстрирующие накопление примеси вблизи поверхности, и найдены стационарные решения, совпадающие в обоих случаях при условии одинакового количества загнанной примеси.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.