"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Детерминированный стохастический резонанс в полупроводниковой бистабильной системе
Камилов И.К.1, Алиев К.М.1, Ибрагимов Х.О.1, Абакарова Н.С.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Email: khmurat@iwt.ru
Поступила в редакцию: 1 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

В полупроводниковой бистабильной системе с S-образной вольт-амперной характеристикой, проявляющей переход к хаосу через перемежаемость, впервые экспериментально обнаружен и исследован детерминированный стохастический резонанс. Определены спектральные области усиления внешнего сигнала, области захвата частоты в зависимости от частоты и амплитуды внешнего сигнала, а также от величины управляющего параметра.
  1. Камилов И.К., Абакарова Н.С., Ибрагимова Х.О. и др. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 21. В 5. С. 24--31
  2. Ибрагимов Х.О., Камилов И.К., Алиев К.М. и др. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В 3. С. 82--88
  3. Abakarova N.S., Ibragimov Kh.O., Aliev K.M. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2001. V. 16. P. 11--14
  4. Kamilov I.K., Ibragimov Kh.O., Aliev K.M. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2003. V. 18. P. 442--444
  5. Анищенко В.С., Нейман А.Б., Мосс Ф. и др. // Успехи физических наук. 1999. Т. 169. N 1. С. 7--38
  6. Anishenko V.S., Neiman A.B., Safonova М.А. // J. Stat. Phys. 1993. V. 70 (1--2). P. 183
  7. Anishenko V.S., Safonova M.A., Chua L.O. // Int. j. Bif. Chaos. 1992. V. 2. P. 397

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.