Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Детерминированный стохастический резонанс в полупроводниковой бистабильной системе
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия 
Email: khmurat@iwt.ru
Поступила в редакцию: 1 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
В полупроводниковой бистабильной системе с S-образной вольт-амперной характеристикой, проявляющей переход к хаосу через перемежаемость, впервые экспериментально обнаружен и исследован детерминированный стохастический резонанс. Определены спектральные области усиления внешнего сигнала, области захвата частоты в зависимости от частоты и амплитуды внешнего сигнала, а также от величины управляющего параметра.
- Камилов И.К., Абакарова Н.С., Ибрагимова Х.О. и др. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 21. В 5. С. 24--31
- Ибрагимов Х.О., Камилов И.К., Алиев К.М. и др. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. В 3. С. 82--88
- Abakarova N.S., Ibragimov Kh.O., Aliev K.M. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2001. V. 16. P. 11--14
- Kamilov I.K., Ibragimov Kh.O., Aliev K.M. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2003. V. 18. P. 442--444
- Анищенко В.С., Нейман А.Б., Мосс Ф. и др. // Успехи физических наук. 1999. Т. 169. N 1. С. 7--38
- Anishenko V.S., Neiman A.B., Safonova М.А. // J. Stat. Phys. 1993. V. 70 (1--2). P. 183
- Anishenko V.S., Safonova M.A., Chua L.O. // Int. j. Bif. Chaos. 1992. V. 2. P. 397
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
