Блудов А.В.1, Болтовец Н.С.1, Василевский К.В.1, Зоренко А.В.1, Зекентес К.1, Кривуца В.А.1, Крицкая Т.В.1, Лебедев А.А.1
1НИИ "Орион", Киев, Украина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Institute of Electronic Structure and Laser, Microelectronics Research Group, Foundation for Research and Technology--Hellas, Heraklion, Greece
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
Рассмотрены вопросы моделирования и создания микроволнового модулятора на 4H-SiC p-i-n-диодах. Впервые приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований микроволновых характеристик 4H-SiC p-i-n-диодов и параметров микрополоскового модулятора на их основе в диапазоне частот от 1 до 10 GHz. В исследованных схемах включения диодов получены значения потерь пропускания 0.8/ 8 dB и развязки -15/ -18 dB. Полученные экспериментальные значения параметров модуляторов в основном определяются параметрами диодов и хорошо согласуются с расчетом.
- Полупроводниковые приборы. Сверхвысокочастотные диоды / Справочник под ред. Б.А. Наливайко. Томск: МТП "Раско", 1992
- Лебедев А.А., Челноков В.Е. // ФТП. 1999. Т. 33. В. 9. С. 1096--1100
- Robert J.Trew et al. // Proceedings of the IEEE. 1991. V. 79. N 5. P. 598--619
- Пакет прикладных программ Advanced Design System 2002. Agilent Technologies
- Vassilevski K., Zekentes K., Constantinidis G., Strel'chuk A. // Solid State Electronics. 2000. V. 44. N 7. P. 1173--1177
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
