"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Оптимизация пластической релаксации механических напряжений несоответствия в гетероструктурах GexSi1-x/Si(001) (x=<0.61)
Болховитянов Ю.Б.1,2, Дерябин А.С.1,2, Гутаковский А.К.1,2, Ревенко М.А.1,2, Соколов Л.В.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: sokolov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 19 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

-1 Методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии выращены пластически релаксированные гетероструктуры GexSi1-x/Si(001) (x=0.38/0.61) толщиной 600-750 nm. Для уменьшения общей толщины пленки использованы низкотемпературная эпитаксия и двухступенчатое изменение состава. Высокое качество структуры достигнуто за счет того, что для релаксации механических напряжений несоответствия между первой и второй ступенями использовались дислокации, прорастающие из первой ступени пленки.
  1. Mooney P.M., Jordan-Sweet J.L., Chu J.O. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 3642
  2. Capewell A.D., Grasby T.J., Whall T.E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 4775
  3. Samavedam S.B., Fitzgerald E.A. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P. 3108
  4. Herzog H.-J., Hackbarth T., Hock G. et al. // Thin Solid Films. 2000. V. 380. P. 36
  5. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Соколов Л.В. и др. // ФТП. 2003. Т. 37. В. 5. С. 513--538
  6. Chen H., Guo L.W., Cui Q. et al. // J. Appl. Phys. 1996. V. 79. P. 1167
  7. Linder K.K., Zhang F.C., Rieh J.-S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 70. P. 3224
  8. Gaiduk P.I., Larsen A.N., Hansen J.L. // Thin Solid films. 2000. V. 367. P. 120
  9. Боуен Д.К., Таннер Б.К. // Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. С.-Петербург: Наука, 2002. 274 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.