Вышедшие номера
Управление динамикой переключения в структуре Si-SiO2-VO2
Величко А.А.1, Кулдин Н.А.1, Стефанович Г.Б.1, Пергамент А.Л.1
1Петрозаводский государственный университет
Email: velichko@mainpgu.karelia.ru
Поступила в редакцию: 8 января 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

Исследовались динамические вольт-амперные характеристики структуры Si-SiO2-VO2, обладающей эффектом переключения. Показано, что управление динамикой переключения можно осуществлять как подачей напряжения смещения на Si-подложку, так и освещением, что объясняется изменением емкости области пространственного заряда. На основе данных эффектов рассматривается возможность создания новых полупроводниковых приборов.
  1. Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. // Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Л.: Наука, 1979. 183 с
  2. Бугаев А.А., Никитин С.Е., Теруков Е.И. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 21. В. 21. С. 76--80
  3. Борисков П.П., Величко А.А., Пергамент А.Л. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. В. 10. С. 13--18
  4. Stefanovich G., Pergament A., Stefanovich D. // Journal of Physics: Condensed Matter. 2000. V. 12. P. 8837--8845
  5. Величко А.А., Кулдин Н.А., Стефанович Г.Б. // Матер. Междунар. конф. "Физика электронных материалов". Калуга. 2002. С. 362--363
  6. Величко А.А., Кулдин Н.А. // Тез. Междунар. конф. "Ломоносов-2002". М., 2002. С. 191
  7. Зи С. // Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. 455 с
  8. Пеннин Н.А. // ФТП. 2000. Т. 34. В. 5. С. 562--566
  9. Викулин И.М., Стафеев В.И. // Физика полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1990. 264 с
  10. Пергамент А.Л., Стефанович Г.Б., Величко А.А. и др. // Матер. Всерос. науч. конф. по физике низкотемпературной плазмы (ФНТП-2001). Петрозаводск, 2001. С. 169

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.