"Письма в журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Длинноволновая лазерная генерация в структурах на основе квантовых ям InGaAs(N) на подложках GaAs
Одноблюдов В.А.1, Егоров А.Ю.1, Ковш А.Р.1, Мамутин В.В.1, Никитина Е.В.1, Шерняков Ю.М.1, Максимов М.В.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vovaod@pop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 25 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

Проведена оптимизация режимов выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии лазерных структур на основе квантовых ям InGaAs(N)/GaAs с высоким содержанием индия. Продемонстрирована длинноволновая низкопороговая генерация при комнатной температуре в структурах на основе одиночных квантовых ям InGaAs и InGaAsN. Достигнутые пороговые плотности тока и длина волны генерации составили 60 A/cm2 и 1.085 mum и 350 A/cm2 и 1.295 mum для лазеров на основе квантовой ямы In0.35GaAs и In0.35GaAsN0.023 соответственно.
  • Ustinov V.M., Zhukov A.E. // Semicond. Sci. Technol. 2000. V. 15. R41
  • Egorov A.Yu. et al. // Journal of Crystal Growth. 2001. V. 227--228. P. 545--552
  • Kovsh A.R. et al. // Electron. Lett. 2002. V. 38. N 19. P. 1104--1106
  • Maleev N.A. et al. Semiconductors. 2001. V. 35 (7). P. 847--853
  • Lott J.A. et al. // Electr. Lett. 2000. V. 36 (5). P. 1384
  • Kovsh A.R. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. May/June 2002. V. 20. N 3. P. 1158--1162
  • Chand N. et al. // Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58 (20). P. 1704--1706
  • Kageyama T. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. Part 2. V. 38. L 298
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.