"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Возникновение домена сильного поля в тиристорных структурах при сверхвысоких плотностях тока
Горбатюк А.В.1, Панайотти И.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: agor.pulse@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 ноября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

На основе численного моделирования процессов двойной инжекции с учетом сопутствующих нелинейных эффектов исследован механизм возникновения домена сильного поля в тиристорных структурах при сверхвысоких плотностях тока J>>100 A / cm2 и связанного с ним аномального увеличения прямого остаточного напряжения.
  1. Grekhov I.V. // 11th IEEE International Pulsed Power Conf. June 29--July 2, Baltimore, Maryland. (Ed. by G. Cooperstein and I. Vitkovsky). 1997. V. 1. P. 425--429
  2. Savage M.E. // IEEE. Tr. Plasma Science. 2000. V. 28. N 5. P. 1451--1455
  3. Schneider S., Podlesak T.F. // IEEE. Tr. Plasma Science. 2000. V. 28. N 5. P. 1520--1455
  4. Brown E.R. // Solid-St. Electronics. 1998. V. 42. N 12. P. 2119--2130
  5. Горбатюк А.В., Грехов И.В., Коротков С.В. и др. // Письма в ЖТФ. 1982. Т. 8. В. 11. С. 685--688; ЖТФ. 1982. Т. 52. В. 7. С. 1369--1374
  6. Gorbatyuk A.V., Grekhov I.V., Nalivkin A.V. // Solid-St. Electronics. 1996. V. 31. N 10. P. 1483--1491
  7. Горбатюк А.В., Панайотти И.Е. // ЖТФ. 1990. Т. 60. В. 5. С. 129--135; ЖТФ. 1991. Т. 61. В. 6. С. 83--92
  8. Горбатюк А.В., Родин П.Б. // Радиотехника и электроника. 1990. Т. 35. В. 6. С. 1336--1339
  9. Мнацаканов Т.Т., Ростовцев И.Л., Филатов Н.И. // Электронное моделирование. 1986. Т. 8. В. 1. С. 40--43
  10. Mnatsakanov T.T., Rostovtsev I.L., Filatov N.I. // Solid-St. Electronics. 1987. V. 30. N 6. P. 579--586

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.