Вышедшие номера
Магнитосопротивление туннельного типа в структуре 13.55 EuO0.7PbO0.3MnO3(монокристалл) / Fe (пленка)
Волков Н.В.1, Патрин Г.С.1, Петраковский Г.А.1, Саблина К.А.1, Овчинников С.Г.1, Варнаков С.Н.1
1Институт физики им. Л.В. Киренского СО РАН, Красноярск Красноярский государственный университет
Email: volk@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 3 октября 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Исследованы магниторезистивные свойства структуры, представляющей собой монокристалл манганита Eu0.7Pb0.3MnO3 с нанесенной на него эпитаксиальной пленкой Fe. При температурах ниже TC кристалла манганита для структуры наблюдается эффект положительного магнитосопротивления. Поведение сопротивления структуры от магнитного поля имеет вид, характерный для туннельных переходов с электродами из ферромагнитных материалов, разделенных тонким слоем диэлектрика. Эффект связывается с формированием в приконтактной области манганит-Fe переходного слоя, обедненного кислородом, обладающего диэлектрическими свойствами. Чувствительность сопротивления исследуемой структуры к магнитному полю определяется как отрицательным магнитосопротивлением кристалла манганита, так и туннельным вкладом в механизм проводимости, при котором величина туннельного тока зависит от взаимной ориентации магнитных моментов электродов (кристалл Eu0.7Pb0.3MnO3 и пленка Fe).
  1. Grunberg P. // Physics Today. 2001. V. 54. P. 31
  2. Борухович А.С., Виглин Н.А., Осипов В.В. // ФТТ. 2002. Т. 44. В. 5. С. 898
  3. Meservey R., Tedrow P.M. // Phys. Rep. 1994. V. 239. P. 174
  4. Simmons J.G. // J. Appl. Phys. 1963. V. 34. P. 1793
  5. Ju H.L., Sohn H. // JMMM. 1997. V. 167. P. 200
  6. Tamura S. // Phys. Lett. 1980. A 73. P. 401
  7. Свистунов В.М., Медведев Ю.В., Таренков В.Ю. и др. // ЖЭТФ. 2000. Т. 118. С. 629

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.