Исследованы магниторезистивные свойства структуры, представляющей собой монокристалл манганита Eu_0.7Pb_0.3MnO₃ с нанесенной на него эпитаксиальной пленкой Fe. При температурах ниже T_C кристалла манганита для структуры наблюдается эффект положительного магнитосопротивления. Поведение сопротивления структуры от магнитного поля имеет вид, характерный для туннельных переходов с электродами из ферромагнитных материалов, разделенных тонким слоем диэлектрика. Эффект связывается с формированием в приконтактной области манганит-Fe переходного слоя, обедненного кислородом, обладающего диэлектрическими свойствами. Чувствительность сопротивления исследуемой структуры к магнитному полю определяется как отрицательным магнитосопротивлением кристалла манганита, так и туннельным вкладом в механизм проводимости, при котором величина туннельного тока зависит от взаимной ориентации магнитных моментов электродов (кристалл Eu_0.7Pb_0.3MnO₃ и пленка Fe).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.