Вышедшие номера
Низкопороговые лазерные диоды на основе AlInGaAs/InP гетероструктур (lambda=1.2-1.5 mum)
Слипченко С.О.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Фетисова Н.В.1, Лешко А.Ю.1, Рябоштан Ю.А.1, Голикова Е.Г.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
Email: nike@hpld.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 12 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений изготовлены AlInGaAs/InP многоямковые лазерные гетероструктуры раздельного ограничения для длин волн излучения 1.2-1.5 mum. Абсолютные значения порогового тока достигали 10 mA для лазерных диодов с шириной полоска W=4.5 mum и длиной резонатора 200 mum. Пороговые плотности тока составили 500-650 A/cm2 при длине резонатора 1.0 mm. Продемонстрирована возможность генерации в непрерывном режиме при температуре окружающей среды 170oC без принудительного охлаждения. В диапазоне температур 10-80oC величина характеристического параметра T0 достигала 110 K.