Низкопороговые лазерные диоды на основе AlInGaAs/InP гетероструктур (lambda=1.2-1.5 mum)
Слипченко С.О.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Фетисова Н.В.1, Лешко А.Ю.1, Рябоштан Ю.А.1, Голикова Е.Г.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
Email: nike@hpld.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 12 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.
Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений изготовлены AlInGaAs/InP многоямковые лазерные гетероструктуры раздельного ограничения для длин волн излучения 1.2-1.5 mum. Абсолютные значения порогового тока достигали 10 mA для лазерных диодов с шириной полоска W=4.5 mum и длиной резонатора 200 mum. Пороговые плотности тока составили 500-650 A/cm2 при длине резонатора 1.0 mm. Продемонстрирована возможность генерации в непрерывном режиме при температуре окружающей среды 170oC без принудительного охлаждения. В диапазоне температур 10-80oC величина характеристического параметра T0 достигала 110 K.
- Zah C., Bhat R., Pathak B.N., Favier F., Lin W., Wang M.C., Andreadakis N.C., Hwang D.M., Koza M.A., Lee T., Wang Z., Darby D., Flanders D., Hsieh J.J. // IEEE J. Quant. Elect. 1994. QE-30. P. 511
- Temkin H., Coblentz D., Logan R.A., Van der Zeil J.P., Tanbun-Ek T., Yadvish R.D., Sergent A.M. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 2402
- Bernussi A.A., Temkin H., Coblentz D.L., Logan R.A. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 67
- Seki S., Oohasi H., Sugiura H., Hirono T., Yokoyama K. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 1054
- Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Слипченко С.О., Тарасов И.С. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 1001
- Belenky G.L., Donetsky D.V., Reynolds C.L., Kazarinov R.F., Shtengel G.E., Luryi S., Lopata J. // IEEE Photonics Thechnol. Lett. 1997. V. 9. P. 1558
- Asryan L.V., Gunko N.A., Polkovnikov A.S., Zegrya G.G., Suris R.A., Lau P.K., Makino T. // Semicond. Sci. Technol. 2000. V. 15. P. 1131
- Elenkrig B.B., Smetona S., Simmons J.G., Makino T., Evans J.D. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. P. 2367
- Adachi S. Physical Properties of III--V Semiconductor Compounds. John Wiley \& Sons Inc., 1992
- Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Фетисова Н.В. // ФТП. 2000. Т. 34. С. 1457
- Голикова Е.Г., Горбылев В.А., Ильин Ю.В., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Симаков В.А., Тарасов И.С., Третьякова Е.А., Фетисова Н.В. // ПЖТФ. 2000. Т. 26 (7). С. 57
- Sugiyama Y., Inata T., Fujii T., Nakata Y., Muto S., Hiyamizu S. // Japan. J. Appl. Phys. 1986. V. 30. P. L648
- Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5815
- Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. // ФТП. 2002. Т. 36. С. 364
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук