"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Низкопороговые лазерные диоды на основе AlInGaAs/InP гетероструктур (lambda=1.2-1.5 mum)
Слипченко С.О.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Фетисова Н.В.1, Лешко А.Ю.1, Рябоштан Ю.А.1, Голикова Е.Г.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им.А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Сигм Плюс Ко, Москва
Email: nike@hpld.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 12 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений изготовлены AlInGaAs/InP многоямковые лазерные гетероструктуры раздельного ограничения для длин волн излучения 1.2-1.5 mum. Абсолютные значения порогового тока достигали 10 mA для лазерных диодов с шириной полоска W=4.5 mum и длиной резонатора 200 mum. Пороговые плотности тока составили 500-650 A/cm2 при длине резонатора 1.0 mm. Продемонстрирована возможность генерации в непрерывном режиме при температуре окружающей среды 170oC без принудительного охлаждения. В диапазоне температур 10-80oC величина характеристического параметра T0 достигала 110 K.
  1. Zah C., Bhat R., Pathak B.N., Favier F., Lin W., Wang M.C., Andreadakis N.C., Hwang D.M., Koza M.A., Lee T., Wang Z., Darby D., Flanders D., Hsieh J.J. // IEEE J. Quant. Elect. 1994. QE-30. P. 511
  2. Temkin H., Coblentz D., Logan R.A., Van der Zeil J.P., Tanbun-Ek T., Yadvish R.D., Sergent A.M. // Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. P. 2402
  3. Bernussi A.A., Temkin H., Coblentz D.L., Logan R.A. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66. P. 67
  4. Seki S., Oohasi H., Sugiura H., Hirono T., Yokoyama K. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 1054
  5. Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Слипченко С.О., Тарасов И.С. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 1001
  6. Belenky G.L., Donetsky D.V., Reynolds C.L., Kazarinov R.F., Shtengel G.E., Luryi S., Lopata J. // IEEE Photonics Thechnol. Lett. 1997. V. 9. P. 1558
  7. Asryan L.V., Gunko N.A., Polkovnikov A.S., Zegrya G.G., Suris R.A., Lau P.K., Makino T. // Semicond. Sci. Technol. 2000. V. 15. P. 1131
  8. Elenkrig B.B., Smetona S., Simmons J.G., Makino T., Evans J.D. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. P. 2367
  9. Adachi S. Physical Properties of III--V Semiconductor Compounds. John Wiley \& Sons Inc., 1992
  10. Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Фетисова Н.В. // ФТП. 2000. Т. 34. С. 1457
  11. Голикова Е.Г., Горбылев В.А., Ильин Ю.В., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Симаков В.А., Тарасов И.С., Третьякова Е.А., Фетисова Н.В. // ПЖТФ. 2000. Т. 26 (7). С. 57
  12. Sugiyama Y., Inata T., Fujii T., Nakata Y., Muto S., Hiyamizu S. // Japan. J. Appl. Phys. 1986. V. 30. P. L648
  13. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. P. 5815
  14. Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. // ФТП. 2002. Т. 36. С. 364

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.