Изучено влияние величины разброса по импульсам электронов, вылетающих с эмиттера, Δ_p на стационарные состояния релятивистского диода Бурсиана. Получены аналитические выражения для концентрации электронов в зависимости от величины разброса и найдены стационарные решения. Показано, что при малой величине Δ_p у диода, как и в нерелятивистском случае, существует область значений внешних параметров, которой соответствуют три стационарных решения. Показано, что с увеличением Δ_p происходит сильное сужение этой области. Изучено влияние релятивистского фактора на эмиттере на размеры области неоднозначности решений. Ключевые слова: плазменный диод, пучки релятивистских электронов, стационарные состояния, функция распределения электронов по импульсам.