Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизм релаксационных колебаний напряжения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. С.М. Кирова, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. С.М. Кирова, Санкт-Петербург, Россия
Email: nikitabogoslovskiy@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 июля 2026 г.
В окончательной редакции: 30 июля 2026 г.
Принята к печати: 31 июля 2026 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2026 г.
При измерении вольт-амперных характеристик тонкопленочных образцов GeSbTe в режиме генератора тока после переключения наблюдаются релаксационные колебания напряжения. Проанализированы экспериментальные результаты, полученные на различных образцах и предложен механизм, позволяющий объяснить возникновение этих колебаний. Показано, что на контакте GeSbTe с металлическим электродом образуется потенциальный барьер для дырок, при этом барьерная емкость контакта соответствует емкости, определяемой из графика релаксационных колебаний. Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, GeSbTe, релаксационные колебания.
- S. Raoux, F. Xiong, M. Wuttig, E. Pop. MRS bulletin, 39, 703 (2014)
- S.A. Kozyukhin, P.I. Lazarenko, A.I. Popov, I.L. Eremenko. Rus. Chem. Rev., 91, 9, RCR5033 (2022)
- N. Li, C. Mackin, A. Chen, K. Brew, T. Philip, A. Simon, I. Saraf, J.-P. Han, S.G. Sarwat, G.W. Burr, M. Rasch, A. Sebastian, V. Narayanan, N. Saulnier. Adv. Electron. Mater., 9, 6, 2370030 (2023)
- G.S. Syed, M. Le Gallo, A. Sebastian. Chem. Rev., 125 , 11, 5163 (2025)
- A. Antolini, F. Zavalloni, A. Lico, S. Quqa, L. Greco, M. Mangia, F. Pareschi, M. Pasotti, E.F. Scarselli. Sensors, 25, 12, 3618 (2025)
- P. Fantini. J. Phys. D: Appl. Phys., 53, 283002 (2020)
- F. Bruckerhoff-Pluckelmann, J. Feldmann, C.D. Wright, H. Bhaskaran, W.H.P. Pernice. J. Appl. Phys., 129, 151103 (2021)
- B. Gholipour, S.R. Elliott, M.J. Muller, M. Wuttig, D.W. Hewak, B.E. Hayden, Y. Li, S.S. Jo, R. Jaramillo, R.E. Simpson, J. Tominaga, Y. Cui, A. Mandal, B.J. Eggleton, M. Rochette, M. Rezaei, I. Alamgir, H.M. Shamim, R. Kormokar, A. Anjum, G.T. Zeweldi, T.S. Karnik, J. Hu, S.O. Kasap, G. Belev, A. Reznik. J. Phys. Photonics, 5, 012501 (2023)
- С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, Д. Арсова, C.А. Козюхин, К.Д. Цэндин, О.Ю. Приходько. ФТП, 50, 7, 958 (2016)
- С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 52, 12, 1503 (2018)
- С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, Н.А. Богословский, А.Б. Былев, Е.В. Гущина, Ж.К. Толепов, А.С. Жакыпов, О.Ю. Приходько. ФТП, 58, 8, 443 (2024)
- P.E. Schmidt, R.C. Callarotti. Thin Solid Films, 42, 277 (1977)
- D. Ielmini, D. Mantegazza, A.L. Lacaita. IEEE Electron Dev. Lett., 29, 6, 568 (2008)
- M. Nardone, V.G. Karpov, I.V. Karpov. J. Appl. Phys., 107, 054519 (2010)
- Y.-Y. Lu, D. Cai, Y.-F. Chen, Y.-Q. Wang, H.-Y. Wei, R.-R. Huo, Z.-T. Song. Chinese Phys. Lett., 33, 038503 (2016)
- J.K. Olson, Heng Li, T. Ju, J.M. Viner, P.C. Taylor. J. Appl. Phys., 99, 103508 (2006)
- X. Yu, J. Robertson. Can. J. Phys., 92, 671 (2014)
- B. Huang, J. Robertson. J. Non-Cryst. Sol., 358, 2393 (2012)
- А.С. Глебов, И.М. Петров. Физика и применение токовой неустойчивости в стеклообразных полупроводниках. Узорочье, Рязань (2000)
- L.W.-W. Fang, Z. Zhang, R. Zhao, J. Pan, M. Li, L. Shi, T.-C. Chong, Y.-C. Yeo. J. Appl. Phys., 108, 053708 (2010)
- Z. Zhang, Y. Guo, J. Robertson. J. Appl. Phys., 127, 155301 (2020)
- K. A. Cooley, H. M. Aldosari, K. Yang, S. E. Mohney. J. Vac. Sci. Technol. A, 38, 050805 (2020)
- E. Prokhorov, J.J. Gervacio-Arciniega, G. Luna-Barcenas, Y. Kovalenko, F.J. Espinoza-Beltran, G. Trapaga. J. Appl. Phys., 113, 113705 (2013)
- Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 46, 5, 577 (2012)
- С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, Н.А. Богословский, А.Б. Былев. ФТП, 58, 12, 662 (2024)
- N. Bogoslovskiy, K. Tsendin. Solid State Electron., 129, 10 (2017).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
