Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2026, выпуск 8 » Статья стр. 1183
<<<>>>
Формирование политипа 9R кремния в структурах Si/SiO2/Si, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Кривулин Н.О.1, Павлов Д.А.1, Черносков Д.Ю.1, Андрианов А.И.1, Морозов В.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: pavlov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 11 июня 2026 г.
В окончательной редакции: 18 июля 2026 г.
Принята к печати: 21 июля 2026 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2026 г.
PDF версия
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(100), покрытых естественным оксидным слоем, выращены структуры Si/SiO2/Si. Показано, что при температуре роста 700 oC в приповерхностном слое кремния образуются области, обладающие структурой гексагонального политипа кремния 9R. Исследования методом просвечивающей электронной микроскопии подтвердили наличие дефектов двойникования, формирующих структуру 9R. Установлено, что объемная доля политипа 9R в образцах достигает 11 %. Предложена методика для определения типа некубической фазы кремния, основанная на анализе периодичности двойниковых границ и сопоставлении с кристаллографическими параметрами решетки. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, политип 9R, гексагональный кремний, дефекты двойникования, просвечивающая электронная микроскопия, структура Si/SiO2/Si, гомоэпитаксия.
  1. J. Bandet, B. Despax, M. Caumont. J. Phys. D: Appl. Phys. 35, 234 (2002)
  2. C. Rodl, T. Sander, F. Bechstedt, J. Vidal, P. Olsson, S. Laribi, J.-F. Guillemole. Phys. Rev. B 92, 045207 (2015)
  3. C. Raffy, J. Furthm.ller, F. Bechstedt. Phys. Rev. B 66, 075201 (2002)
  4. A.A. Chizhova, A.A. Nikolskaya, E.V. Zaitseva, A.A. Konakov. St. Petersbg. State Polytech. Univ. J.: Phys. Math. 17, 9 (2024)
  5. B. Wen, J. Zhao, M.J. Bucknum, P. Yao, T. Li. Diamond Relat. Mater. |bf17, 356 (2008)
  6. X. Zhang, E. Kioupakis. arXiv: 2309.16501 (2023)
  7. W.H.J. Peeters, V.T. van Lange, A. Belabbes, M.C. van Hemert, M. Marco Jansen, R. Farina, M.A.J. van Tilburg, M.A. Verheijen, S. Botti, F. Bechstedt, J.E.M. Haverkort, E.P.A.M. Bakkers. Nature Communications 15, 5252 (2024)
  8. M.A.J. van Tilburg, R. Farina, V.T. van Lange, W.H.J. Peeters, S. Meder, M.M. Jansen, M.A. Verheijen, M. Vettori, J.J. Finley, E.P.A.M. Bakkers, J.E.M. Haverkort. Commun. Phys. 7, 328 (2024)
  9. R. Koolen, T.O. Goedkoop, S.P. Ramanandan, M.A. Verheijen, E.P.A.M. Bakkers. J. Vac. Sci. Technol. 44, 032703 (2026)
  10. D.A. Pavlov, A.V. Pirogov, N.O. Krivulin, A.I. Bobrov. Semiconductors 49, 95 (2015)
  11. D.S. Korolev, A.A. Nikolskaya, N.O. Krivulin, A.I. Belov, A.N. Mikhaylov, D.A. Pavlov, D.I. Tetelbaum, N.A. Sobolev, M. Kumar. Tech. Phys. Lett. 43, 767 (2017)
  12. A.A. Nikolskaya, D.S. Korolev, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, A.A. Sushkov, N.O. Krivulin, K.R. Muhamatchin, A.A. Elizarova, M.O. Marychev, A.A. Konakov, D.I. Tetelbaum, D.A. Pavlov. Appl. Phys. Lett. 113, 182103 (2018)
  13. A.A. Nikolskaya, D.S. Korolev, A.N. Mikhaylov, A. Konakov, A. Okhrapkin, S. Kraev, A. Sushkov, D. Pavlov, D. Tetelbaum. Mater. Lett. 342, 134302 (2023)
  14. А.А. Никольская, Д.С. Королев, А.Н. Михайлов, А.А. Конаков, А.И. Охапкин, С.А. Краев, А.И. Андрианов, А.Д. Моисеев, А.А. Сушков, Д.А. Павлов, Д.И. Тетельбаум. Вестник Московского университета. Сер. 3: Физика. Астрономия 3, 110 (2023)
  15. M. Bikerouni, A. Marzegalli, D. Spirito, G.J.K. Schaffar, C. Bongiorno, F. Rovaris, M. Zaghloul, A.A. Corley-Wiciak, L. Miglio, V. Maier-Kiener, G. Capellini, A.M. Mio, E. Scalise. Small Struct. 6, 2405052 (2024)
  16. L.A. Smillie, M. Niihori, L. Rapp, B. Haberl, J.S. Williams, J.E. Bradby, C.J. Pickard, A.V. Rode. Phys. Rev. Mater. 4, 093803 (2020)
  17. Т.А. Гордеева, Д.А. Овсянников, М.Ю. Попов, Б.А. Кульницкий, В.Д. Бланк. ФТТ 62, 1597 (2020)
  18. I. Bollier, F. Balduini, M. Sousa, M. Vettori, W.H.J. Peeters, E.P.A.M. Bakkers, H. Schmid. Appl. Phys. Lett. 126, 162101 (2025)
  19. T. Liang, L. Xiong, H. Lou, F. Lan, J. Zhang, Y. Liu, D. Li, Q. Zeng, Z. Zeng. Scr. Mater. 220, 114936 (2022)
  20. Д.А. Павлов, П.А. Шиляев, Н.О. Кривулин, А.И. Бобров, А.В. Пирогов. Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского 4, 38 (2013)
  21. T. Hattori, T. Suzuki. Appl. Phys. Lett. 43, 470 (1983)
  22. H. Ishiwara, H. Yamamoto, S. Furukawa, M. Tamura, T. Tokuyama. Appl. Phys. Lett. 43, 1028 (1983)
  23. В.Г. Литовченко, Р.И. Марченко, Г.Ф. Романова. Электронные процессы на поверхности полупроводников и на границе раздела полупроводник-диэлектрик / Под ред. И.Г. Неизвестного. Изд-во Ин-та физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирск (1974). 293 с.
  24. Y. Yang, K. Chen, X. Xue, T. Song, Z. Zhao, X. Zhou, Y. Zhang, R. Qin, F. Li, X. Ding, J. Sun, H. Wu. Nanoscale Adv. 7, 5377 (2025). [25]User's Guide: Precision Ion Polishing System, Gatan inc. Revision 3, 11.1998, 118 p
  25. X. Liu, D. Wang. Nano Res. 2, 575 (2009)
  26. H. Cerva. Mater. Res. 6, 2324 (1991)
  27. C. Cayron, M. Den Hertog, L. Latu-Romain, C. Mouchet, C. Secouard, J.L. Rouviere, E. Rouviere, J.P. Simonato. J. Appl. Crystallogr. 42, 242 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme