Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Поверхностные состояния в электролюминесценции на гетерогранице InAsSb/InAsSbP
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание, FSER-2025-0005
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, zegrya@theory.ioffe.ru, idkirilenko@itmo.ru, mkd@iropt2.ioffe.ru, mynkad@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 июля 2026 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2026 г.
Принята к печати: 20 июля 2026 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2026 г.
Исследована природа оптических переходов на гетерогранице InAsSb/InAsSbP в светодиодных структурах на основе InAs(Sb,P). Показано, что при низких температурах (T<50 K) переходы происходят на пограничные состояния, формирующиеся на резкой гетерогранице и локализованные в перпендикулярном к ее плоскости направлении. Проведенный расчет позволил объяснить наблюдавшиеся в эксперименте отсутствие зависимости энергии максимума полосы электролюминесценции гетероструктур от величины тока возбуждения и заметное изменение этой энергии с температурой вблизи T=4.2 K. Ключевые слова: InAsSb(P), электролюминесценция, гетеропереход, пограничные состояния.
- P. Martyniuk, A. Rogalski. In: Semiconductors and Semimetals, v. 118, ed. by S.D. Gunapala and D.Z. Ting (2025), p. 207-253
- N. Argirusis, A. Achilleos, N. Alizadeh, C. Argirusis, G. Sourkouni. Sensors 25, 3, 673 (2025)
- Y. Di, K. Ba, X. Wang, T. Lin, B. Wu, Y. Chen, J. Wang. Adv. Mater. e08115 (2025)
- G.F. Rangel, L.D. de Leon Martinez, L.S. Walter, B. Mizaikoff. TrAC Trends Analyt. Chem. 180, 117916 (2024)
- Y. Tang, Y. Zhao, H. Liu. ACS Sens. 7, 12, 3582 (2022)
- Я.Д. Кириленко, В.В. Романов, Н.Л. Баженов, И.Н. Трапезникова, К.Д. Мынбаев, К.Д. Моисеев. ФТТ 68, 1, 61 (2026)
- I.D. Kirilenko, K.D. Mynbaev, V.V. Romanov, N.L. Bazhenov, K.D. Moiseev. St. Petersbg. State Polytech. Univ. J.: Phys. Math. 19, 1.1, 33 (2026)
- В.В. Романов, К.Д. Моисеев. ФТТ 65, 10, 1707 (2023)
- Y. Mao, A. Krier. Opt. Mater. 6, 1-2, 55 (1996)
- E.H. Steenbergen, J.A. Massengale, G. Ariyawans, Y.-H. Zhang. J. Luminescence 178, 451 (2016)
- T. Smo ka, M. Motyka, V.V. Romanov, K.D. Moiseev. Materials 15, 4, 1419 (2022)
- Y.M. Yen, R. People, K.W. Wecht. J. Appl. Phys. 64, 2, 952 (1988)
- Р.А. Сурис. ФТП 20, 11, 2008 (1986)
- А.В. Сокольский, Р.А. Сурис. ФТП 21, 5, 866 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
