Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2026
- 1 2 3
2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Высокочастотные вольт-фарадные характеристики структур металл-Ba_0.8Sr_0.2TiO₃-термический окисел-кремний

Афанасьев М.С.¹, Белорусов Д.А.¹, Гольдман Е.И.¹, Чучева Г.В.¹, Семченко А.В.², Пилипенко В.А.³

¹Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия Fryazino Branch, Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino, Moscow oblast, Russia

Fryazino Branch, Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Fryazino, Moscow oblast, Russia

²Учреждение образования "Гомельский государственный университет им. Франциска Скорины", Гомель, Беларусь
³Государственный центр "Белмикроанализ" ОАО "Интеграл", Минск, Беларусь

Email: semchenlko@gsu.by, office@bms.by

Поступила в редакцию: 12 января 2026 г.

В окончательной редакции: 12 января 2026 г.

Принята к печати: 12 января 2026 г.

Выставление онлайн: 22 апреля 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сформированы структуры с пленками сегнетоэлектрика состава Ba_0.8Sr_0.2TiO₃ и толщиной 300 nm, осаждением на кремниевые подложки с тонким термическим окислом на поверхности. Подтвержден факт снижения концентрации электронных ловушек в переходном слое между кремнием и диэлектриком при использовании пластин Si, покрытых термическим окислом. Проведены измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик созданных структур и показано, что у объектов на подложках кремния с пленкой термического окисла на поверхности, в отличие от пластин с естественным окислением, канал неосновных свободных носителей заряда под полевым электродом в полупроводнике открывается, что создает перспективу успешного применения подобных структур в производстве, например, ячеек памяти FeRAM. Ключевые слова: структуры металл-окисел-кремний, металл-сегнетоэлектрик-окисел-кремний, оборванные связи кремния, поверхностный канал неосновных носителей заряда в кремнии.

К.А. Воротилов, В.М. Мухортов, А.С. Сигов. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. Энергоатомиздат, М. (2011). 175 с
J.Y. Park, K. Yang, D.H. Lee, S.H. Kim, Y. Lee, P.R.S. Reddy, J.L. Jones, M.H. Park. J. Appl. Phys. 128, 24, 240904 (2020)
B. Wang, W. Huang, L. Chi, M. Al-Hashimi, T.J. Marks, A. Facchetti. Chem. Rev. 118, 11, 5690 (2018)
E.I. Goldman, G.V. Chucheva, D.A. Belorusov. Ceram. Int. 47, 15, 21248 (2021)
Д.А. Белорусов, Е.И. Гольдман, Г.В. Чучева. ФТТ 63, 11, 1887 (2021). [D.A. Belorusov, E.I. Goldman, G.V. Chucheva. Phys. Solid State 63, 13, 2140 (2022).]
E. Goldman, G. Chucheva, D. Belorusov. Ceram. Int. 50, 6, 9678 (2024)
Д.А. Белорусов, Е.И. Гольдман, Г.В. Чучева. ФТТ 67, 5, 832 (2025)
E.I. Goldman, G.V. Chucheva, D.A. Belorusov. J. Commun. Technol. Electron. 67, 1, S115 (2022)
T.S. Boscke, J. Muller, D. Brauhaus, U. Schroder, U. Bottger. Appl. Phys. Lett. 99, 10, 102903 (2011)
J. Muller, T.S. Boscke, D. Brauhaus, U. Schroder, U. Bottger, J. Sundqvist, P. Kucher, T. Mikolajick, L. Frey. Appl. Phys. Lett. 99, 11, 112901 (2011)
A. Paul, G. Kumar, A. Das, G. Larrieu, S.J. De. J. Appl. Phys. 138, 1, 010701 (2025)
A. Kumar, T. Ali, D. Lehninger, P. Duhan. J. Appl. Phys. 138, 11, 114503 (2025)
М.С. Иванов, М.С. Афанасьев. ФТТ 51, 7, 1259 (2009). [M.S. Ivanov, M.S. Afanas'ev. Phys. Solid State 51, 7, 1328 (2009).]
Д.А. Киселев, М.С. Афанасьев, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТТ 57, 6, 1134 (2015). [D.A. Kiselev, M.S. Afanasiev, S.A. Levashov, G.V. Chucheva. Phys. Solid State 57, 6, 1151 (2015).]
Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ 6, 110 (1997)
E.H. Nicollian, I.R. Brews. MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology. John Willey \& Sons, N. Y. (1982). 906 p
L.F. L nnum, J.S. Johannessen. Electron. Lett. 22, 9, 456 (1986)
K.J. Yang, C. Hu. IEEE Trans. Electron. Dev. 46, 7, 1500 (1999)
Е.И. Гольдман, Н.Ф. Кухарская, С.А. Левашов, Г.В. Чучева. ФТП 53, 1, 46 (2019). [E.I. Goldman, N.F. Kuharskaya, S.A. Levashov, G.V. Chucheva. Semiconductors 53, 1, 42 (2019).]
S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. Wiley Interscience, San Jose, California (2007). 832 p
М.В. Черняев, С.А. Горохов, С.И. Патюков, А.А. Резванов. Электронная техника, Серия 3, Микроэлектроника 3 (187), 31 (2022)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель