Методом атомно-силовой микроскопии с измерением силы электрического тока через зонд исследована локальная электропроводность тонкопленочных структур Al₂O₃/ZrO₂(Y)/Pt. На поверхности структур обнаружены участки локального увеличения электропроводности, связанные с утечками по границам зерен в поликристаллических пленках Al₂O₃. Предложен механизм влияния тонких пленок Al₂O₃ на стабильность электрических характеристик мемристоров на основе структур Ta/Al₂O₃/ZrO₂(Y)/Pt, заключающийся в латеральной локализации проводящих филаментов в слое функционального диэлектрика ZrO₂(Y) в области дефектов в слое Al₂O₃. В остальной части структуры слой Al₂O₃ ограничивает диффузию ионов О^2- из функционального диэлектрика в верхний электрод и, тем самым, препятствуют латеральному размытию филамента. В свою очередь, это уменьшает дрейф характеристик мемристора в процессе переключения. Ключевые слова: мемристор, резистивное переключение, филамент, атомно-силовая микроскопия, стабилизированный диоксид циркония, оксид алюминия, стабильность.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.