Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние нейтронно-легированного изотопа фосфора на микротвердость монокристаллического кремния
1Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан 
2Ташкентский университет информационных технологий имени аль-Хорезми, Ташкент, Узбекистан
2Ташкентский университет информационных технологий имени аль-Хорезми, Ташкент, Узбекистан
Email: rdonov@inp.uzmuzaffarerdonov1978@yandex.ru
Поступила в редакцию: 15 ноября 2025 г.
В окончательной редакции: 1 декабря 2025 г.
Принята к печати: 2 декабря 2025 г.
Выставление онлайн: 30 января 2026 г.
Исследовано изменение микротвердости исходного кремния n- и p-типа, содержащего примеси фосфора или бора, при нейтронной трансмутации. Выявлено, что легирование кремния стабильным изотопом 31P независимо от содержания фосфора в исходном кристалле приводит к увеличению микротвердости n-Si<P>. Для кремния p-типа, содержащего примеси бора, микротвердость определяется соотношением концентраций бора и изотопа 31P. Определено, что в p-Si<B> наблюдается повышение микротвердости нейтронно-трансмутационного кремния p-типа при соотношении концентраций N31P/NB>1. Предложен механизм трансформации радиационных дефектных комплексов с участием изотопа 31P, ответственных за изменение микротвердости кремния n- и p-типа при нейтронной трансмутации. Ключевые слова: монокристаллический кремний, примесь, нейтронно-трансмутационный кремний, легирование, изотоп 31P, концентрация, микротвердость.
- Вопросы радиационной технологии полупроводников / Под ред. Л.С. Смирнова, Новосибирск: "Наука". (1980). 296 с
- W.E. Has, M.C. Schnoller. Silicon Doping by Nuclear Transmutation // Electronic materials. 5, 1, 57 (1978)
- Artur Wilson Carbonari. Proceedings of the 4 Brailian meeting on Nuclear Applications, 2, 71 (1997)
- L. Anders, M. Gr sv nge, C. Hindrichsen. J. Cryst. 512, 65 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.017
- И.М. Греськов, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. ФТП 11, 8, 1598 (1977)
- Г.П. Гайдар. Электронная обработка материалов, 56, 6, 61 (2020)
- I.I. Lebedev, D.E. Zolotykh, A.G. Naymushin, N.V. Smolnikov, M.N. Anikin, V.A. Varlachev. Atom Indonesia 47, 1, 39-44 (2021). DOI: ttps://doi.org/10.17146/aij.2021.1005
- Do Hyun Kim, Han Rim Lee, Jiseok Kim, Myong-Seop Kim, Byung Gun Park. Journal of the Korean Physical Society 79, 12-18 (2021). https://doi.org/10.1007/s40042-021-00178-z
- Andrey Isakov, Sergey Khvostov, Evgeny Kinev, Michael Laptev, Anastasia Khudorozhkova, Olga Grishenkova, Vladimir Rychkov and Yurii Zaikov. Journal of The Electrochemical Society 167, 8, (2020). https://doi.org/10.1149/1945-7111/ab933c
- J. Van de Pitte, J. Wagemans, A. Gusarov, I. Uytdenhouwen, C. Detavernier, J. Lauwaert. NUCLEAR TECHNOLOGY 2020. American Nuclear Society https://doi.org/10.1080/00295450.2019.1697172
- V.A. Varlacheva, E.G. Emetsa, Yu. Mua, E.A. Bondarenkoa, V.A. Govorukhina. Instruments and Experimental Techniques 65, 6, 887-890 (2022)
- А.А. Шаймерденов, Н.К. Романова, Д.С. Сайранбаев, Ш.Х. Гизатулин. Вестник НЯЦ РК 3, 9-14 (2021)
- Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, И.А. Пушнин, Н.Ю. Сучкова. ФТТ 46, 10, 1790 (2004)
- M.Yu. Tashmetov, Sh. Makhkamov, M.N. Erdonov, R.P. Saidov, N.T. Sulaymanov, T.S. Tillaev, Kh.M. Kholmedov. AIP Conf. Proc. 3020, 040006 (2024)
- С.А. Вабищевич, Н.В. Вабищевич. Д.И. Бринкевич. Вестник полоцкого государственного Университета. Серия С. Фундаментальные науки 3, 109 (2010)
- Ш. Махкамов, М.Ю. Ташметов, М.Н. Эрдонов, Р.П. Саидов, Х.М. Холмедо. XIII международной научной школы-конференции по радиационной физике, посвященная 90-летию А.А. Алыбакова --- основателя физики твердого тела в Кыргызской Республике. 31 июля-6 августа. С. 15-18 (2023)
- Е.А. Толкачева, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП 52, 9, 973 (2018)
