Исследовано влияние парциального давления реактивного газа (кислорода) в камере напыления и температуры подложки на электропроводность, подвижность носителей заряда и термоэдс тонких пленок оксида цинка (ZnO), полученных методом ионно-лучевого распыления. Синтезированные пленки являются нанокристаллическими и характеризуются гексагональной кристаллической решеткой вюрцита и текстурой с преобладающей осью <0001>, перпендикулярной плоскости пленки. Электронно-микроскопический анализ подтвердил формирование нанокристаллической структуры с характерной текстурой роста. Установлено, что в исследованных образцах доминирующим механизмом переноса заряда является прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми, что подтверждается: линейностью зависимостей ln(rho/rho_o)(T^-1/4) и S(T^1/2), а также низкими значениями плотности локализованных состояний на уровне Ферми g(E_F)~10¹⁷ eV^-1·cm^-3. Проведены оценки основных модельных параметров исследованных пленок: характерной температуры B, плотности состояний на уровне Ферми g(E_F), длины прыжка и радиуса локализации. Установлено, что увеличение парциального давления кислорода в газовой смеси приводит к уменьшению g(E_F), а повышение температуры подложки способствует росту плотности электронных состояний. Ключевые слова: оксид цинка, электрические свойства, термоэдс, плотность электронных состояний.