Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Раннее образование поверхностных состояний в МОП-структурах при ионизирующем облучении
Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.05.56043.22 
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
Email: Aleksandr_ov@mail.ru
Поступила в редакцию: 22 февраля 2023 г.
В окончательной редакции: 22 февраля 2023 г.
Принята к печати: 1 марта 2023 г.
Выставление онлайн: 30 апреля 2023 г.
Разработана количественная модель раннего образования поверхностных состояний (ПС) в МОП-структурах при ионизирующем облучении (ИО) с лимитирующей стадией - дисперсионным переносом дырок. Согласно модели основной вклад в раннее образование ПС происходит во время микросекундного импульса ИО для тонкого подзатворного диэлектрика и после окончания импульса для толстого полевого оксида. Рост плотности ранних ПС после окончания ИО связан с наличием локализованных состояний и дисперсионным переносом дырок. Позднее образование ПС лимитируется дисперсионным транспортом ионов водорода, что затягивает процесс образования поздних ПС от ~0.1 c до 104 и более секунд. Ключевые слова: МОП-структура, ионизирующее облучение, поверхностные состояния, дисперсионный транспорт.
- T.R. Oldham, F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci. 50, 3, 483 (2003)
- К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. БИНОМ, М. (2012). 304 с
- В.С. Першенков, Д.В. Савченков, А.С. Бакеренков, В.Н. Улимов. Микроэлектроника 39, 2, 102 (2010)
- D.M. Fleetwood. IEEE NS-39, 2, 269 (1992)
- F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci. 27, 6, 1651 (1980)
- J.R. Schwank, P.S. Winokur, F.W. Sexton, D.M. Fleetwood, J.H.-Perry, P.V. Dressendorfer, D.T. Sanders, D.C. Turpin. IEEE Trans. Nucl. Sci. 33, 6, 1178 (1986)
- H.E. Boesch. IEEE Trans. Nucl. Sci. 35, 6, 1160 (1988)
- N.S. Saks, C.M. Dozier, D.B. Brown. IEEE Trans. Nucl. Sci. 35, 6, 1168 (1988)
- F.B. McLean, N.E. Boesch, J.M. McGarrity. IEEE Trans. Nucl. Sci. 23, 6, 1506 (1976)
- N.E. Boesch, J.M. McGarrity, F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci. 25, 3, 1012 (1978)
- N.E. Boesch, F.B. McLean, J.M. McGarrity, P.S. Winokur. IEEE Trans. Nucl. Sci. 25, 6, 1239 (1978)
- O.L. Curtis, J.R. Srour. J. Appl. Phys., 48, 9, 3819 (1977)
- О.В. Александров. ФТП 54, 10, 1029 (2020)
- О.В. Александров. ФТП 55, 2, 152 (2021)
- О.В. Александров. ФТП 55, 7, 559 (2021)
- О.В. Александров. ФТП 56, 12, 1154 (2022)
- R.C. Hughes. Phys. Rev. B15, 4, 2012 (1977)
- A.G. Revesz. J. Electrochem. Soc. 126, 1, 122 (1979)
- P.S. Winokur, H.E. Boesch, J.M. McGarrity, F.B. McLean. J. Appl. Phys. 50, 5, 3492 (1979)
- S.K. Lai. J. Appl. Phys. 54, 5, 2540 (1983)
- F.J. Grunthaner, P.J. Grunthaner. Mater. Sci. Rep. 1, 65 (1986)
- Q.D. Khosru, N. Yasuda, K. Taniguchi, C. Hamaguchi. Appl. Phys. Lett. 63, 18, 2537 (1993)
- G. Van den Bosch, G. Groeseneken, H.E. Maes, R.B. Klein, N.S. Saks. J. Appl. Phys. 75, 4, 2073 (1994)
- S.R. Hofstein. IEEE Trans. El. Dev. 14, 11, 749 (1967)
- J.M. Benedetto, H.E. Boesch. IEEE Trans. Nucl. Sci. 33, 6, 1318 (1986)
- V.I. Arkhipov, A.I. Rudenko. Phil. Mag. B 45, 2, 189, 209 (1982)
- N.E. Boesch, T.L. Taylor. IEEE Trans. Nucl. Sci. 31, 6, 1273 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
