Вышедшие номера
Влияние условий возбуждения в переменном поле на кинетические и диэлектрические характеристики интеркалированных соединений AgxMoSe2
Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.05.56044.32
Министерствo науки и высшего образования и науки Российской Федерации (Госзадание № FEUZ-2023-0017)
Плещев В.Г. 1
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Институт естественных наук и математики, Екатеринбург, Россия
Email: v.g.pleshchev@urfu.ru
Поступила в редакцию: 9 марта 2023 г.
В окончательной редакции: 9 марта 2023 г.
Принята к печати: 11 марта 2023 г.
Выставление онлайн: 30 апреля 2023 г.

С использованием методики импедансной спектроскопии получены данные о влиянии величины переменного сигнала и постоянного смещения на кинетические характеристики образцов AgxMoSe2. Показано также влияние температуры на параметры импедансных спектров исследованных соединений и на их диэлектрические характеристики, анализ которых был проведен в рамках формализма электрического модуля. Ключевые слова: импеданс, интеркалаты, диселенид молибдена, серебро, диэлектрическая проницаемость, электрический модуль.
  1. A. Wilson, A.D. Yoffe. Adv. Phys. 18, 193 (1969)
  2. W. Choi, N. Choudhary, J. Park, G.H. Han, Y.H. Lii, D. Akinwande. Mater. Today 20, 3, 116 (2017). DOI: 10.1016/j.mattod.2016.10.002
  3. Л.А. Чернозатонскй, А.А. Артюх. УФН 188, 1, 3 (2018). DOI: 10.3367/UFNr.2017.02.038065
  4. V.I. Maksimov, N.V. Baranov, V.G. Pleshchev, K. Inoue. J. Alloys Comp. 384, 33 (2004). DOI: 10.1016/j.jallcom.2004.03.129
  5. В.Г. Плещев, Н.В. Баранов, И.А. Мартьянова. ФТТ 48, 10, 1843 (2006)
  6. Е.М. Шерокалова, Н.В. Селезнева, В.Г. Плещев. ФТТ 64, 4, 437 (2022). DOI: 10.21883/FTT.2022.04.52183.256
  7. В.Г. Плещев Н.В. Селезнева. ФТТ 60, 2, 245 (2018). DOI: 10.21883/FTT.2018.02.45375.219
  8. В.Г. Плещев, Н.В. Селезнева, Н.В. Баранов. ФТТ 55, 7, 1281 (2013)
  9. В.Г. Плещев, Н.В. Селезнева, Н.В. Мельникова, Н.В. Баранов. ФТТ 54, 7, 1271 (2012)
  10. В.Г. Плещев, Н.В. Мельникова, Н.В. Баранов. ФТТ 57, 8, 1473 (2015)
  11. В.Г. Плещев, Н.В. Мельникова. ФТТ 56, 9, 1702 (2014)
  12. A.H. Rechak, S. Auluk. Physica B 363, 25 (2005). DOI: 10.1016/j.physb.2005.02.030
  13. C.K. Sumesh, K.D. Patel, V.M. Pathak, R. Srivastava. J. Electron Dev. 8, 324 (2010)
  14. Y.C. Lee, D.L. Shen, К.W. Chen, W.Z. Lee, S.Y. Hu, K.K. Tiong, Y.S. Huang. J. Appl. Phys. 99, 6, 63706(5) (2006). https://doi.org/10.1063/1.2180398
  15. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических в еществах. Мир, М. (1982). Т. 1. 368 с
  16. В.Г. Плещев, Н.В. Селезнева, Н.В. Баранов. ФТТ 55, 1, 14 (2013)
  17. V.G. Pleshchev. IOSR J. Appl. Phys. 13, 5, 33 (2021). DOI: 10.9790/4861-1305013336
  18. В.Г. Плещев. ФТТ 65, 2, 232 (2023). DOI: 1021883/FTT.2023.02.54295.520
  19. С.М. Асадов, С.Н. Мустафаева. Неорган. материалы 55, 11, 1151 (2019) DOI: 10.1134/S0002337X19100014
  20. Н.А. Поклонский, Н.И. Горбачук. Основы импедансной спектроскопии композитов. Изд-во БГУ, Минск (2005). 150 с
  21. .B. Louati, K. Guidara, M. Gargouri. J. Alloys Comp., 472, 347 (2009). DOI: 10.1016/j.jallcom.2008.04.050
  22. А.М. Солодуха, З.А. Либерман. Вестн. Воронежского гос. ун-та. Сер. Физика, математика 2, 67 (2003)
  23. M.Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, Y. Bakis, F. Salehli. J. Appl. Phys. 108, 7, 074114(5) (2010). DOI: 10.1063/1.3486219
  24. М.А. Кудряшов, А.И. Машин, А.А. Логунов, G. Chidichimo, G. De Filpo. ЖТФ 84, 7, 67 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.