Особенности фактора термоэлектрической мощности капсулированных структур, образованных двумерными слоями
Давыдов С.Ю.1, Посредник О.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 3 февраля 2023 г.
В окончательной редакции: 3 февраля 2023 г.
Принята к печати: 19 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 28 марта 2023 г.
В рамках модельного подхода получено выражения для фактора термоэлектрической мощности sigma S2 (sigma - статическая проводимость, S - коэффициент Зеебека), характеризующего моноатомный 2D-слой, образованный элементом IV группы, находящийся между обкладками, образованными гексагональными 2D-слоями соединений III-V. Подробно рассмотрена структура h-BN/графен/h-BN и проанализирована зависимость фактора sigma S2 от положения химического потенциала μ. Приведены аналитические оценки характерных значений функции sigma S^2(μ). Ключевые слова: статическая проводимость, коэффициент Зеебека, гексагональные моноатомные двумерные слои.
- A.M. Dehkordi, M. Zebarjadi, J. He, T.M. Tritt. Mater. Sci. Eng. R 97, 1 (2015)
- L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B 47, 19, 12727 (1993)
- D. Li, Y. Gong, Y. Chen, J. Lin, Q. Khan, Y. Zhang, Y. Li, H. Zhang, H. Xie. Nano-Micro Lett. 12, 1, 36 (2020)
- T. Tan, X. Jiang, C. Wang, B. Yao, H. Zhang. Adv. Sci. 7, 11, 2000058 (2020)
- С.Ю. Давыдов. Письма в ЖТФ 47, 13, 52 (2021). [S.Yu. Davydov. Tech. Phys. Lett. 47, 9, 649 (2021).]
- С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. ФТТ 58, 4, 779 (2016). [S.Yu. Davydov, O.V. Posrednik. Phys. Solid State 58, 4, 647 (2016).]
- Дж. Займан. Принципы теории твердого тела. Мир, М. (1974). Гл. 7. [J.M. Ziman. Principles of the theory of solids. University Press (1965).]
- Z.Z. Alisultanov. Low Temp. Phys. 39, 7, 592 (2013)
- С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. ФТП 55, 7, 587 (2021). [S.Yu. Davydov, O.V. Posrednik. Semiconductors 55, 7, 782 (2021).]. DOI: 10.1134/S1063782621070071
- N.M.R. Peres, F. Guinea, A.H. Castro Neto. Phys. Rev. B 73, 12, 125411 (2006)
- С.Ю. Давыдов. ФТТ 60, 9, 1815 (2018). [S.Yu. Davydov. Phys. Solid State 60, 9, 1865 (2018).]
- С.Ю. Давыдов. ФТП 51, 2, 226 (2017). [S.Yu. Davydov. Semiconductors 51, 2, 217 (2017).]
- A.K. Geim, I.V. Grigorieva. Nature 499, 7459, 419 (2013)
- J. Duan, X. Wang, X. Lai, G. Li, K. Watanabe, T. Taniguchi, M. Zebarjadi, E.Y. Andrei. PNAS 113, 50, 14272 (2016)
- И.В. Антонова. ФТП 50, 1, 67 (2016). [I.V. Antonova. Semiconductors 50, 1, 66 (2016)]
- F.B. Wiggers, A. Fleurence, K. Aoyagi, T. Yonezawa, Y. Yamada-Takamura, H. Feng, J. Zhuang, Y. Du, A.Y. Kovalgin, M.P. de Jong. 2D Materials 6, 3, 035001 (2019)
- А.А. Варламов, А.В. Кавокин, И.А. Лукьянчук, С.Г. Шарапов. УФН 182, 11, 1229 (2012). [A.A. Varlamov, A.V. Kavokin, I.A. Luk'yanchuk, S.G. Sharapov. Phys.-Uspekhi 55, 11, 1146 (2012).]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.