Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Излучательная рекомбинация в разъединенном гетеропереходе II типа InAs/InSb с квантовыми точками на интерфейсе
Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.04.56006.11 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: yana_parkhom@rambler.ru, Ed@mail.ioffe.ru, mkd@iropt2.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 января 2023 г.
В окончательной редакции: 25 января 2023 г.
Принята к печати: 1 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 28 марта 2023 г.
Исследованы электролюминесцентные свойства узкозонных гетероструктур II типа InAs/InSb/InAs, содержащих одиночный слой квантовых точек InSb, помещенный на границе раздела p-n-перехода в InAs. Особенности спектров электролюминесценции в зависимости от поверхностной плотности нанообъектов на разъединенной гетерогранице II типа были изучены как при прямом, так и при обратном внешнем смещении. При приложении обратного смещения к исследуемым гетероструктурам подавление отрицательной межзонной люминесценции и доминирование интерфейсных рекомбинационных переходов на гетерогранице II типа InSb/InAs наблюдались при комнатной температуре. Излучение, которое отвечало рекомбинационным переходам с участием локализованных состояний квантовых точек InSb, было зарегистрировано при низкой температуре. Ключевые слова: квантовые точки, электролюминесценция, InAs, InSb, гетеропереход II типа.
- I. Kulesh, C.T. Ke, C. Thomas, S. Karwal, C.M. Moehle, S. Metti, R. Kallaher, G.C. Gardner, M.J. Manfra, S. Goswami. Phys. Rev. Appl. 13, 041003 (2020). https://doi.org/10.48550/arXiv.1910.07309
- T. Hensgens, T. Fujita, L. Janssen, X. Li, C.J. Van Diepen, C. Reichl, W. Wegscheider, S. Das Sarma, L.M.K. Vandersypen. Nature 548, 70 (2017). https://doi.org/10.1038/nature23022
- А.Е. Жуков, М.В. Максимов, А.Р. Ковш. ФТП 46, 10, 1249 (2012)
- P. Martyniuk, A. Rogalski. Prog. Quant. Electron. 32, 89 (2008)
- В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев, А.А. Пивоварова, Ю.П. Яковлев. ФТП 54, 2, 202 (2020)
- Ж.И. Алферов. ФТП 32, 1, 3 (1998)
- A. Karim, O. Gustafsson, L. Hussain, Q. Wang, B. Noharet, M. Hammar, J. Anderson, J. Song. Proc. SPIE 8439, 84391J (2012)
- Я.А. Пархоменко, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП 47, 11, 1536 (2013)
- К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, Е.В. Гущина, А.В. Анкудинов, М.П. Михайлова, Н.А. Берт, Ю.П. Яковлев. ФТП 43, 8, 1142 (2009)
- K.D. Moiseev, Ya.A. Parkhomenko, V.N. Nevedomsky. Thin Solid Films 543, 74 (2013)
- М.А. Бунин, Ю.А. Матвеев. ФТП 19, 11, 2018 (1985)
- М.М. Григорьев, П.А. Алексеев, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП 47, 1, 30 (2013)
- K. Moiseev, E. Ivanov, V. Romanov, M. Mikhailova, Yu. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, T. vSimevcek. Phys. Proc. 3, 1189 (2010)
- Е.И. Георгицэ, И.Т. Постолаки, В.А. Смирнов, П.Г. Унтила. ФТП 23, 4, 745 (1989)
- К.Д. Моисеев, В.А. Березовец, К.Ю. Голеницкий, Н.С. Аверкиев. ФНТ 45, 2, 179 (2019)
- Q. Zhuang, P.J. Carrington, A. Krier. J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 232003 (2008). DOI: 10.1088/0022-3727/41/23/232003
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
