Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Ab initio расчеты электронных свойств, частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов и край оптического поглощения монокристаллов TlInS₂<Sn>

DOI: 10.21883/FTT.2022.06.52388.299

Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.06.53823.299

Мустафаева С.Н.¹, Асадов М.М.^2,3, Гусейнова С.С.¹, Гасанов Н.З.¹, Лукичев В.Ф.⁴

¹Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan, Baku, Azerbaijan

²Институт катализа и неорганической химии им. акад. М. Нагиева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after Academician M. Nagiyev, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry named after Academician M. Nagiyev, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

³Научно-исследовательский институт геотехнологических проблем нефти, газа и химия, Баку, Азербайджан Scientific Research Institute of Geotechnological Problems of Oil, Gas and Chemistry, Baku, Azerbaijan

Scientific Research Institute of Geotechnological Problems of Oil, Gas and Chemistry, Baku, Azerbaijan

⁴Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия Valiev Institute of Physics and Technology of RAS, Moscow, Russia

Email: solmust@gmail.com

Поступила в редакцию: 27 февраля 2022 г.

В окончательной редакции: 27 февраля 2022 г.

Принята к печати: 10 марта 2022 г.

Выставление онлайн: 29 марта 2022 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены расчеты зонной структуры и плотности состояний для суперъячейки моноклинной сингонии TlInS₂ и TlInS₂<Sn> в рамках теории функционала плотности (DFT). Для корректного описания ширины запрещенной зоны (E_g) в DFT-расчетах учитывали кулоновское отталкивание, т. е. параметр Хаббарда (U). Показано, что максимум валентной зоны и минимум зоны проводимости TlInS₂ расположены в центре (точка ) зоны Бриллюэна, что указывает к прямой энергии запрещенной зоны. Обсуждаются особенности распределения плотности электронных состояний в TlInS₂ и TlInS₂<Sn>. Синтезированы и затем выращены методом Бриджмена-Стокбаргера монокристаллы TlInS₂, легированного 0.1 mol.% оловом (TlInS₂<0.1 mol.% Sn>). Изучена частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов и проводимости монокристалла TlInS₂ и TlInS₂<0.1 mol.% Sn> в области частот f=5·10⁴-3.5·10⁷ Hz. Показано, что в TlInS₂<Sn> имеют место релаксационные потери. Установлен прыжковый механизм переноса заряда на переменном токе в TlInS₂<Sn>. В TlInS₂<Sn> оценены параметры локализованных состояний, такие как плотность состояний вблизи уровня Ферми и их энергетический разброс, среднее время и расстояние прыжков, а также концентрация глубоких ловушек. Полученные из спектров оптического поглощения значения E_g для прямых оптических переходов в кристаллах TlInS₂ и TlInS₂<0.1 mol.% Sn> показывают, что при введении 0.1 mol.% Sn, замещающего атомы индия, величина E_g уменьшается, например, при 150 K от 2.539 (TlInS₂) до 2.486 eV (TlInS₂<0.1 mol.% Sn>). Из оптических измерений рассчитан средний температурный коэффициент ширины запрещенной зоны d E_g/d T=-7·10^-4 eV/K для TlInS₂<Sn>. Уменьшение ширины запрещенной зоны у монокристалла TlInS₂<Sn> по отношению к TlInS₂ составляет 16 meV при 300 K и 53 meV при 150 K. Ключевые слова: суперъячейка, полупроводниковый TlInS₂, легирование оловом, моноклинная сингония, теория функционала плотности, электронная структура, монокристаллы, диэлектрические свойства, оптическое поглощение, перенос заряда, параметры локализованных состояний.

С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов. ФТТ 51, 11, 2140 (2009). [S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, A.A. Ismailov. Phys. Solid State 51, 11, 2269 (2009). https://doi.org/10.1134/S1063783409110122]
О.Б. Плющ, А.Ю. Шелег. Кристаллография 44, 5, 873 (1999). https://doi.org/10.1134/1.171106
S.N. Mustafaeva, E.M. Kerimova, D.A. Guseinova. Phys. Status Solidi A 179, 199 (2000). https://doi.org/10.1002/1521-396X(200005)179:1<199::AID-PSSA199>3.0.CO;2-W
K.R. Allakhverdiev, N.D. Akhmed-zade, T.G. Mamedov, T.S. Mamedov, Mir-Gasan Yu. Seidov. Low Temp. Phys. 26, 1, 56 (2000). https://doi.org/10.1063/1.593863
K.R. Allakhverdiev, T.G. Mammadov, R.A. Suleymanov, N.Z. Gasanov. J. Phys.: Condens. Matter 15, 1291 (2003). https://doi.org/10.1088/0953-8984/15/8/313
A.F. Qasrawi, N.M. Gasanly. J. Mater. Sci. 41, 3569 (2006). https://doi.org/10.1007/s10853-005-5618-0
W. Henkel, H.D. Hochheimer, C. Carlone, A. Werner, S. Ves, H.G.v. Schnering. Phys. Rev. B 26, 6, 3211 (1982). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.26.3211
H. Hahn, B. Wellman. Naturwis. 54, 2, 42 (1967). https://doi.org/10.1007/bf00680166
T.J. Isaacs, J.D. Feichtner. J. Solid State Chem. 14, 3, 260 (1975). https://doi.org/10.1016/0022-4596(75)90030-4
K.-J. Range, G. Engert, W.A. Muller, A. Weiss. Z. Naturforsch. B 29, 181 (1974). https://doi.org/10.1515/znb-1974-3-410
S. Kashida, Y. Kobayashi. J. Phys.: Condens. Matter 11, 4, 1027 (1999). https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/4/010
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. ФТТ 40, 4, 612 (1998)
А.У. Шелег, В.В. Шевцова, В.Г. Гуртовой, С.Н. Мустафаева. Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 11, 39 (2013). [A.U. Sheleg, V.V. Shautsova, V.G. Hurtavy, S.N. Mustafaeva. J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques 7, 6, 1052 (2013). https://doi.org/10.1134/s1027451013060190]
M. Isik, N.M. Gasanly, F. Korkmaz. Phys. B: Condens. Matter 421, 50 (2013). https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.03.046
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, В.А. Рамазанзаде. ФТТ 38, 1, 14 (1996)
S. Kazan, M. Acikgoz, F.A. Mikailov, T. Mammadov, B. Aktas. Ph. Transit 81, 6, 581 (2008). https://doi.org/10.1080/01411590802017476
T. Babuka, O.O. Gomonnai, K.E. Glukhov, L.Yu. Kharkhalis, A.V. Gomonnai, M. Makowska-Janusik. Low Temp. Phys. 48, 57 (2022). https://doi.org/10.1063/10.0008965
М.М. Асадов, С.Н. Мустафаева, С.С. Гусейнова, В.Ф. Лукичев, Д.Б. Тагиев. ФТТ 63, 5, 680 (2021). [M.M. Asadov, S.N. Mustafaeva, S.S. Guseinova, V.F. Lukichev, D.B. Tagiev. Phys. Solid State 63, 5, 797 (2021). https://doi.org/10.1134/S1063783421050036]
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, С.С. Гусейнова, В.Ф. Лукичев, Д.Б. Тагиев. ФТТ 64, 1, 46 (2022). https://doi.org/10.21883/FTT.2022.01.51830.182.
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, С.С. Гусейнова, А.И. Джабаров, В.Ф. Лукичев. ФТТ 64, 4, 428 (2022). https://doi.org/10.21883/FTT.2022.04.52182.251
М.М. Асадов, С.Н. Мустафаева, С.С. Гусейнова, В.Ф. Лукичев. ФТТ 64, 5, 528 (2022). https://doi.org/10.21883/FTT.2022.05.52332.270
S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, E.M. Kerimova, N.Z. Gasanov. Inorg. Mater. 49, 12, 1175 (2013). https://doi.org/10.1134/S0020168518070099
М.М. Асадова, С.Н. Мустафаева, С.С. Гусейнова, В.Ф. Лукичев. Микроэлектроника 51, 2, 125 (2022). https://doi.org/10.31857/S0544126922010021
T. Babuka, O.O. Gomonnai, K.E. Glukhov, L.Yu. Kharkhalis, M. Sznajder, D.R.T. Zahn. Acta Phys. Pol. A 136, 4, 640 (2019). https://doi.org/10.12693/APhysPolA.136.640
O.V. Korolik, S.A. Kaabi, K. Gulbinas, A.V. Mazanik, N.A. Drozdov, V. Grivickas. J. Lumin. 187, 507 (2017). https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2017.03.065
N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials. OUP Oxford (2012). 590 p. ISBN: 9780199645336

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель