Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Создание элементов из NbN для логических устройств классических криокомпьютеров
Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», приказ от 02.07.2020 , №1055
Гурович Б.А.1, Приходько К.Е.
1,2, Кутузов Л.В.1, Гончаров Б.В.1, Комаров Д.А.1, Малиева Е.М.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: prihodko_ke@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 9 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 6 июня 2021 г.
Описан метод, который позволяет снизить критический ток и мощность переключения нанопровода небольшой длины из сверхпроводящего состояния в нормальное за счет встраивания в нанопровод участка нормального металла. Этот эффект обусловлен локальным нагревом сверхпроводящего проводника за счет тепла, выделяемого в нормальном металле. Интегрированное сопротивление создавалась из исходного NbN под действием ионного облучения через маску. Полученные значения мощностей переключения позволяют конструировать многослойные логические элементы без гальванической связи для классических криокомпьютеров. Ключевые слова: тонкие сверхпроводящие пленки NbN, бесконтактное переключение состояния сверхпроводника, криоэлектронные устройства, интегрированные криогенные резисторы.
- Б.А. Гурович, К.Е. Приходько, А.Г. Домантовский, В.Л. Столяров, Д.А. Комаров, Е.А. Кулешова, Л.В. Кутузов. Патент РФ N 2674063 (2018)
- Б.А. Гурович, К.Е. Приходько, Л.В. Кутузов, Б.В. Гончаров. ФТТ 62, 9, 1420 (2020)
- B.V. Goncharov, B.A. Gurovich, K.E. Prikhodko, M.M. Dementyeva, V.L. Stolyarov, E.D. Olshansky, A.G. Domantovsky, L.V. Kutuzov, E.M. Malieva, A.A. Cherepanov. IOP Conf. Ser. Mater. Sci. Eng. 1005, 012023 (2020)
- A.N. McCaughan, K.K. Berggren. Nano Lett. 14, 10, 5748 (2014)
- R. Baghdadi, J.P. Allmaras, B.A. Butters, A.E. Dane, S. Iqbal, A.N. McCaughan, E.A. Toomey, Q. Zhao, A.G. Kozorezov, K.K. Berggren. Phys. Rev. Appl. Am. Phys. Soc. 14, 5, 1 (2020)
- M. Nguyen, G.J. Ribeill, M.V. Gustafsson, S. Shi, S.V. Aradhya, A.P. Wagner, L.M. Ranzani, L. Zhu, R. Baghdadi, B. Butters, E. Toomey, M. Colangelo, P.A. Truitt, A. Jafari-Salim, D. McAllister, D. Yohannes, S.R. Cheng, R. Lazarus, O. Mukhanov, K.K. Berggren, R.A. Buhrman, G.E. Rowlands, T.A. Ohki. Sci. Rep. 2020. 10, 248(2020)
- B.A. Gurovich, K.E. Prikhodko, M.A. Tarkhov, A.G. Domantovsky, D.A. Komarov, B.V. Goncharov, E.A. Kuleshova. Micro Nanosyst. 7, 3, 172 (2015)
- Б.А. Гурович, М.А. Тархов, К.Е. Приходько, Е.А. Кулешова, Д.А. Комаров, В.Л. Столяров, Е.Д. Ольшанский, Б.В. Гончаров, Д.А. Гончарова, Л.В. Кутузов, А.Г. Домантовский. Рос. нанотехнологии. 9, 7-8, 36 (2014)
- Б.А. Гурович, К.Е. Приходько, Б.В. Гончаров, М.М. Дементьева, Л.В. Кутузов, Д.А. Комаров, А.Г. Домантовский, В.Л. Столяров, Е.Д. Ольшанский. ЖТФ, 90, 11, 1860 (2020)
- Б.А. Гурович, К.Е. Приходько, А.Г. Домантовский, Е.А. Кулешова, Л.В. Кутузов. Патент РФ N 2694799 (2018)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
