Сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения изготовлены гетеронаноструктуры InGaAs/GaAs со слоем (Ga, Mn)As на поверхности, и исследовано влияние воздействия импульсного эксимерного лазера (длина волны 248 nm, длительность импульса ~30 ns, плотность энергии в диапазоне 200-360 mJ/cm²) на их излучательные, структурные и гальваномагнитные свойства. При исследованиях использовалась спектроскопия фотолюминесценции, дополненная возможностью анализа поляризационных характеристик излучения структур. Кристаллическое совершенство исходных и облученных лазером образцов изучалось с использованием спектроскопии комбинационного рассеяния. Элементный состав структур и его распределение по глубине исследовались методом вторичной ионной масс-спектрометрии. Влияние импульсного лазерного отжига на ферромагнитные свойства гетеронаноструктур характеризовалось поведением магнитополевых зависимостей сопротивления Холла и магнетосопротивления при температурах 10-300 K в диапазоне магнитных полей ±3600 Oe. При комнатной температуре исследование проводилось в магнитных полях, достигающих значений ±28000 Oe. Для получения расчетных распределений температуры вдоль толщины образца и во времени с применением модели процесса лазерного отжига, основанной на решении задачи о распространении тепла в одномерной GaAs системе с учетом слоя (Ga,Mn)As на поверхности, были использованы оригинальные данные по коэффициенту теплопроводности структур со слоем (Ga, Mn)As, полученные посредством модифицированной методики частотного разделения (3ω-метода). Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, импульсное лазерное нанесение, гетеронаноструктура, разбавленный магнитный полупроводник, импульсный лазерный отжиг.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.