Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Создание тонких пленок NbN при комнатной температуре подложки
НИЦ "Курчатовский институт", № 1055 от 02.07.2020,
Гурович Б.А.1, Гончаров Б.В.
1, Приходько К.Е.
1,2, Кутузов Л.В.1, Столяров Л.В.1, Малиева Е.М.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: Goncharov_bv@nrcki.ru, prikhodko_ke@nrcki.ru
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 9 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 6 июня 2021 г.
Методом магнетронного распыления изготовлены тонкие пленки NbN. Пленки изготовлены на сапфировых подложках при температурах 20-300oC. Температура перехода в сверхпроводящее состояние для различных образцов в зависимости от температуры подложки при напылении составила 8-14 K. Плотность критического тока jc лежит в диапазоне 0.8-8 MA/cm2, что позволяет использовать данные пленки для создания многослойных структур, ввиду отсутствия отжигов, которым подвергается каждый нижележащий слой структур при напылении следующего. Ключевые слова: Тонкие сверхпроводящие пленки NbN; плотность критического тока перехода тонких пленок NbN; магнетронное распыление.
- B.A. Gurovich, K.E. Prihod'ko, M.A. Tarkhov, A.G. Doman\=tovsky, D.A. Komarov, B.V. Goncharov, E.A. Kuleshova. Micro Nanosystems 7, 172 (2015)
- Б.А. Гурович, К.Е. Приходькo. УФН 179, 179 (2009)
- B.A. Gurovich, M.A. Tarkhov, K.E. Prikhod'ko, E.A. Kuleshova, D.A. Komarov, V.L. Stolyarov, E.D. Olshanskii, B.V. Goncharov, D.A. Goncharova, L.V. Kutuzov, A.G. Domantovskii. Nanotechnol. Russ. 9, 7--8, 386 (2014)
- B.A. Gurovich, K.E. Prikhod'ko, M.A. Tarkhov, E.A. Kuleshova, D.A. Komarov, V.L. Stolyarov, E.D. Ol'shanskii, B.V. Goncharov, D.A. Goncharova, L.V. Kutuzov, A.G. Domantovskii, Z.V. Lavrukhina, M.M. Dement'eva. Nanotechnol. Russ. 10, 7--8, 530 (2015)
- D.D. Bacon, A.T. English, S. Nakahara, F. G. Peters, H. Schreiber, W.R. Sinclair, R.B. van Dover. J. Appl. Phys. 54, 6509 (1983)
- М.А. Давыдченко, Е.О. Смирнов, Б.М. Воронов. В кн.: Межвузовская научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов им. Е.В. Арменского. Материалы конф. МИЭМ НИУ ВШЭ, М. (2019). С. 192--194
- Zhen Wang, Akira Kawakami, Yoshinori Uzawa, Bokuji Komiyama. J. App. Phys. 79, 7837 (1996)
- Gin-ichiro Oya, Yutaka Onodera. J. App. Phys. 45, 1389 (1974)
- S.P. Chockalingam, M. Chand, J. Jesudasan, V. Tripathi, P. Raychaudhuri. Phys. Rev. B 77, 214503 (2008)
- J. R.Gao, M. Hajenius. Appl. Phys. Lett. 91, 062504 (2007)
- A.E. Dane, A.N. McCaughan, Di Zhu, Q. Zhao, Chung-Soo Kim, N. Calandri, A. Agarwal, F. Bellei, K.K. Berggren. Appl. Phys. Lett. 111, 122601 (2017)
- B.V. Goncharov, B.A. Gurovich, K.E. Prikhodko, M.M. Dementyeva, V.L. Stolyarov, E.D. Olshansky, A.G. Domantovsky, L.V. Kutuzov, E.M. Malieva, A.A. Cherepanov. IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 1005, 012023 (2020)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
