Диэлектрические потери и перенос заряда в легированном сурьмой монокристалле TlGaS2
Асадов С.М.1, Мустафаева С.Н.2
1Институт катализа и неорганической химии HAH Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 19 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
Изучено влияние полуметаллической сурьмы (0.5 mol.% Sb) на диэлектрические свойства и ас-проводимость выращенных методом Бриджмена-Стокбаргера монокристаллов на основе TlGaS2. Экспериментальные результаты по изучению частотной дисперсии диэлектрических коэффициентов и проводимости монокристаллов TlGa0.995Sb0.005S2 позволили установить природу диэлектрических потерь, механизм переноса заряда и оценить параметры локализованных в запрещенной зоне состояний. Легирование монокристалла TlGaS2 сурьмой приводило к увеличению плотности состояний вблизи уровня Ферми и уменьшению среднего времени и расстояния прыжков. Настоящая работа выполнена при финансовой поддержке Фонда развития науки при Президенте Азербайджанской Республики (проект 5.EIF-BGM-3-BRFTF-2+/2017). DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45551.266
- I.G. Stamov, N.N. Syrbu, V.V. Ursaki, V.V. Zalamai. Optics. Commun. 298- 299, 145 (2013)
- L. Nemerenco, N.N. Syrbu, V. Dorogan, N.P. Bejan, V.V. Zalamai. J. Luminesc. 172, 111 (2016)
- T. Kawabata, Y. Shim, K. Wakita, N. Mamedov. Thin Solid Films, 571, 589 (2014)
- B. Abay, H.S. Guder, H. Efeov glu, Y.K. Yov gurt cu. Phys. Status Solidi B 227, 469 (2001)
- B. Gurbulak, S. Duman, A. Ate s. Czechoslov. J. Phys. 55, 93 (2005)
- Y. Shim, W. Okada, K. Wakita, N. Mamedov. J. Appl. Phys. 102, 083537 (2007)
- A.F. Qasrawi, N.M. Gasanly. Cryst. Res. Technol. 39, 439 (2004)
- A.F. Qasrawi, N.M. Gasanly. Phys. Status Solidi A 202, 13, 2501 (2005)
- I.M. Ashraf. J. Phys. Chem. B 108, 10765 (2004)
- A. Kato, M. Nishigaki, N. Mamedov, M. Yamazaki, S. Abdullayeva, E. Kerimova, H. Uchiki, S. Iida. J. Phys. Chem. Solids 64, 1713 (2003)
- A.A. Al Ghamdi, A.T. Nagat, F.S. Bahabri, R.H. Al Orainy, S.E. Al Garni. Appl. Surf. Sci. 257, 3205 (2011)
- C.-D. Kim, M.-S. Jin. New Physics: Sae Mulli 65, 11, 1068 (2015)
- M. A ci kgoz, P. Gnutek, C. Rudowicz. Solid State Commun. 150, 1077 (2010)
- С.Н. Мустафаева. ФТТ 46, 6, 979 (2004)
- С.Н. Мустафаева. Журн. pадиоэлектроники 8, 1 (2008)
- С.Н. Мустафаева. Изв. РАН. Неорган. материалы 42, 5, 530 (2006)
- С.Н. Мустафаева. Журн. pадиоэлектроники 4, 1 (2009)
- С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, Э.М. Керимова, Н.З. Гасанов. Неорган. материалы 49, 12, 1271 (2013)
- В.Г. Гуртовой, А.У. Шелег, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова, С.Г. Джафарова. ФТТ 59, 8, 1479 (2017)
- M.-S. Jin, H.-J. Song. Current Applied Physics 3, 409 (2003)
- Дж. Хьюи. Неорганическая химия. Строение вещества и реакционная способность. / Под ред. Б.Д. Степина и Р.А. Лидина. Пер. с англ. Химия, М. (1987). 696 с
- С.Н. Мустафаева, Д.М. Бабанлы, М.М. Асадов, Д.Б. Тагиев. ФТТ 57, 10, 1913 (2015)
- С.Н. Мустафаева. Все материалы. Энциклопедический справочник 10, 74 (2016)
- G.E. Delgado, A.J. Mora, F.V. Perezb, J. Gonzalez. Physica B 391, 385 (2007)
- В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники. 6-е изд. Лань, СПб.-М.-Краснодар. (2004). 368 с
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Пер. с англ. Мир, М. (1974). 472 c
- M. Pollak. Phil. Mag. 23, 519 (1971)
- К.Р. Аллахвердиев, Е.А. Виноградов, Р.Х. Нани. В кн.: Физические свойства сложных полупроводников. Элм, Баку (1982). С. 55
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.