Вышедшие номера
Диэлектрические потери и перенос заряда в легированном сурьмой монокристалле TlGaS2
Переводная версия: 10.1134/S1063783418030034
Асадов С.М.1, Мустафаева С.Н.2
1Институт катализа и неорганической химии HAH Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 19 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Изучено влияние полуметаллической сурьмы (0.5 mol.% Sb) на диэлектрические свойства и ас-проводимость выращенных методом Бриджмена-Стокбаргера монокристаллов на основе TlGaS2. Экспериментальные результаты по изучению частотной дисперсии диэлектрических коэффициентов и проводимости монокристаллов TlGa0.995Sb0.005S2 позволили установить природу диэлектрических потерь, механизм переноса заряда и оценить параметры локализованных в запрещенной зоне состояний. Легирование монокристалла TlGaS2 сурьмой приводило к увеличению плотности состояний вблизи уровня Ферми и уменьшению среднего времени и расстояния прыжков. Настоящая работа выполнена при финансовой поддержке Фонда развития науки при Президенте Азербайджанской Республики (проект 5.EIF-BGM-3-BRFTF-2+/2017). DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45551.266
  1. I.G. Stamov, N.N. Syrbu, V.V. Ursaki, V.V. Zalamai. Optics. Commun. 298- 299, 145 (2013)
  2. L. Nemerenco, N.N. Syrbu, V. Dorogan, N.P. Bejan, V.V. Zalamai. J. Luminesc. 172, 111 (2016)
  3. T. Kawabata, Y. Shim, K. Wakita, N. Mamedov. Thin Solid Films, 571, 589 (2014)
  4. B. Abay, H.S. Guder, H. Efeov glu, Y.K. Yov gurt cu. Phys. Status Solidi B 227, 469 (2001)
  5. B. Gurbulak, S. Duman, A. Ate s. Czechoslov. J. Phys. 55, 93 (2005)
  6. Y. Shim, W. Okada, K. Wakita, N. Mamedov. J. Appl. Phys. 102, 083537 (2007)
  7. A.F. Qasrawi, N.M. Gasanly. Cryst. Res. Technol. 39, 439 (2004)
  8. A.F. Qasrawi, N.M. Gasanly. Phys. Status Solidi A 202, 13, 2501 (2005)
  9. I.M. Ashraf. J. Phys. Chem. B 108, 10765 (2004)
  10. A. Kato, M. Nishigaki, N. Mamedov, M. Yamazaki, S. Abdullayeva, E. Kerimova, H. Uchiki, S. Iida. J. Phys. Chem. Solids 64, 1713 (2003)
  11. A.A. Al Ghamdi, A.T. Nagat, F.S. Bahabri, R.H. Al Orainy, S.E. Al Garni. Appl. Surf. Sci. 257, 3205 (2011)
  12. C.-D. Kim, M.-S. Jin. New Physics: Sae Mulli 65, 11, 1068 (2015)
  13. M. A ci kgoz, P. Gnutek, C. Rudowicz. Solid State Commun. 150, 1077 (2010)
  14. С.Н. Мустафаева. ФТТ 46, 6, 979 (2004)
  15. С.Н. Мустафаева. Журн. pадиоэлектроники 8, 1 (2008)
  16. С.Н. Мустафаева. Изв. РАН. Неорган. материалы 42, 5, 530 (2006)
  17. С.Н. Мустафаева. Журн. pадиоэлектроники 4, 1 (2009)
  18. С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, Э.М. Керимова, Н.З. Гасанов. Неорган. материалы 49, 12, 1271 (2013)
  19. В.Г. Гуртовой, А.У. Шелег, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова, С.Г. Джафарова. ФТТ 59, 8, 1479 (2017)
  20. M.-S. Jin, H.-J. Song. Current Applied Physics 3, 409 (2003)
  21. Дж. Хьюи. Неорганическая химия. Строение вещества и реакционная способность. / Под ред. Б.Д. Степина и Р.А. Лидина. Пер. с англ. Химия, М. (1987). 696 с
  22. С.Н. Мустафаева, Д.М. Бабанлы, М.М. Асадов, Д.Б. Тагиев. ФТТ 57, 10, 1913 (2015)
  23. С.Н. Мустафаева. Все материалы. Энциклопедический справочник 10, 74 (2016)
  24. G.E. Delgado, A.J. Mora, F.V. Perezb, J. Gonzalez. Physica B 391, 385 (2007)
  25. В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники. 6-е изд. Лань, СПб.-М.-Краснодар. (2004). 368 с
  26. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Пер. с англ. Мир, М. (1974). 472 c
  27. M. Pollak. Phil. Mag. 23, 519 (1971)
  28. К.Р. Аллахвердиев, Е.А. Виноградов, Р.Х. Нани. В кн.: Физические свойства сложных полупроводников. Элм, Баку (1982). С. 55

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.