Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Термоэлектрические свойства ферромагнитного полупроводника на основе дираковского полуметалла Cd3As2 при высоком давлении
Переводная версия: 10.1134/S1063783418030174 
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-02-00857-а
Мельникова Н.В.
1, Тебеньков А.В.
1, Суханова Г.В.1, Бабушкин А.Н.
1, Сайпулаева Л.А.
2, Захвалинский В.С.
3, Габибов С.Ф.
2, Алибеков А.Г.
2, Моллаев А.Ю.
2
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Институт естественных наук и математики, Екатеринбург, Россия 
2Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
3Белгородский государственный национальный исследовательский университет, Белгород, Россия
2Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
3Белгородский государственный национальный исследовательский университет, Белгород, Россия
Email: nvm.melnikova@gmail.com, l.saypulaeva@gmail.com, zakhvalinskii@bsu.edu.ru, a.abdulabek@gmail.com, a.mollaev@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.
С целью установления наличия барических фазовых переходов в интервале от 10 GPa до 50 GPa в гранулированной структуре Cd3As2 + MnAs (MnAs - 44.7%), состоящей из гранул ферромагнитного MnAs, помещенных в полупроводниковую матрицу Cd3As2, исследованы барические зависимости термоэдс, как одного из наиболее чувствительных к фазовым превращениям параметров. Исследования выполнены при финансовой поддержке гранта РФФИ N 16-02-00857. DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45550.274
- Z. Wang, H. Weng, Q. Wu, X. Dai, Z. Fang. Phys. Rev. B 88, 125427 (2013)
- S. Borisenko, Q. Gibson, D. Evtushinsky, V. Zabolotnyy, B. Buchner, R.J. Cava. Phys. Rev. Lett. 113, 027603 (2014)
- A.V. Galeeva, I.V. Krylov, K.A. Drozdov, A.F. Knjazev, A.V. Kochura, A.P. Kuzmenko, V.S. Zakhvalinskii, S.N. Danilov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Bellstein J. Nanotechnol. 8, 167 (2017)
- L. Aggarwal, A. Gaurav, G.S. Thakur, Z. Haque, A.K. Ganguli, G. Sheet. Nature Mater. 15, 32 (2016)
- H. Wang, H. Wang, H. Liu, H. Lu, W. Yang, S. Jia, X.-J. Liu, X.C. Xie, J. Wei, J. Wang. Nature Mater. 15, 38 (2016)
- L. He, Y. Jia, S. Zhang, X. Hong, C. Jin, S. Li. Quantum Mater. 1, 16014 (2016)
- S. Zhang, Q. Wu, L. Schoop, M.N. Ali, Y. Shi, N. Ni, Q. Gibson, S. Jiang, V. Sidorov, W. Yi, J. Guo, Y. Zhou, D. Wu, P. Gao, D. Gu, C. Zhang, S. Jiang, K. Yang, A. Li, Y. Li, X. Li, J. Liu, X. Dai, Z. Fang, R.J. Cava, L. Sun, Z. Zha. Phys. Rev. B 91, 165133 (2015)
- E.K. Arushanov. Crystal Growth Charact. 25, 131 (1992)
- J. Cisowski. Phys. Status Solidi B 200, 311 (1997)
- X. Yuan, P. Cheng, L. Zhang, Ch. Zhang, J. Wang, Y. Liu, Q. Sun, P. Zhou, D.W. Zhang, Z. Hu, X. Wan, H. Yan, Z. Li, F. Xiu. Nano Lett. 17, 2211 (2017)
- И.Ф. Грибанов, Э.А. Завадский, А.П. Сиваченко. ФТН 5, 1219 (1979).
- C. Spezzani, E. Ferrari, E. Allaria, F. Vidal, A. Ciavardini, R. Delaunay, F. Capotondi, E. Pedersoli, M. Coreno, C. Svetina, L. Raimondi, M. Zangrando, R. Ivanov, I. Nikolov, A. Demidovich, V.B. Danailov, H. Popescu, M. Eddrief, G.D. Ninno, M. Kiskinova, M. Sacchi. Phys. Rev. Lett. 113, 247202 (2014)
- J. Hubmann, B. Bauer, H.S. Korner, S. Furthmeier, M. Buchner, G. Bayreuther, F. Dirnberger, D. Schuh, C.H. Back, J. Zweck, E. Reiger, D. Bougeard. Nano Lett. 16, 900 (2016)
- V.M. Novotortsev, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, A.V. Kochura. Rus. J. Inorg. Chem. 55, 11, 1762 (2010)
- M.J. Aubin, L.G. Caron, J.-P. Jay-Gerin. Phys. Rev. B 15, 3872 (1977)
- R.J. Wagner, E.D. Palik, E.M. Swiggard. In: Physics of Semimetals and Narrow-Gap Semiconductors / Eds D.L. Carter, R.T. Bate. Pergamon, N. Y. (1971). P. 471
- Э.К. Арушанов, А.Ф. Князев, А.Н. Натепров, С.И. Радауцан. ФТП 17, 8, 1202 (1983)
- A.G. Alibekov, A.Yu. Mollaev, L.A. Saipulaeva, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko. Rus. J. Inorg. Chem. 52, 4, 357 (2016)
- A.G. Alibekov, A.Yu. Mollaev, L.A. Saipulaeva, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, A.I. Ril'. Rus. J. Inorg. Chem. 62, 1, 90 (2017)
- L.F. Vereshchagin, E.N. Yakovlev, B.V. Vinogradov, G.N. Stepanov, K.Kh. Bibaev, T.I. Alaeva, V.P. Sakun. High Temperatur.--High Press. 6, 499 (1974)
- A.N. Babushkin. High Press. Res. 6, 349 (1992)
- A.N. Babushkin, G.I. Pilipenko, F.F. Gavrilov. J. Phys.: Condens. Matter. 5, 8659 (1993)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1977). 672 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
