Электронная почта: sst@journals.ioffe.ru
"Физика твердого тела"
Авторам
Вышедшие номера
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические характеристики и зонная энергетическая диаграмма изотипного n-Si1-xGex/n-Si-гетероперехода в релаксированных структурах
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Hungarian Academy of Sciences, Budapest, Hungary
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
5Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Hungarian Academy of Sciences, Budapest, Hungary
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
5Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 27 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
Исследованы электрические характеристики релаксированного изотипного n-Si1-xGex/n-Si-гетероперехода в условиях формирования в окрестности гетерограницы сетки дислокаций несоответствия и на основе этих измерений изучены особенности структуры энергетических зон гетеросистемы. Показано, что зонная структура кристалла в окрестности границы формируется зарядом на дефектах решетки. Параметры потенциального барьера оценены на основании анализа температурных зависимостей вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик системы. Работа выполнена по соглашению между Российской и Венгерской академиями наук (программа N 15) в рамках проектов МНТЦ N 2372 и ОТКА (Венгрия) N T035272.
- P. Waltereit, J.M. Fernandes, S. Kaya, T.J. Thornton. Appl. Phys. Lett. 72, 18, 2262 (1998)
- T.G. Yugova, V.I. Vdovin, M.G. Milvidskii, L.K. Orlov, V.A. Tolomasov, A.V. Potapov, N.V. Abrosimov. Thin Solid Films 336, 1--2, 112 (1999)
- X.L. Yuan, T. Sekiguchi, S.G. Ri, S. Itol. Proc. DRIP X. Batz-Sur-Mer, France (2003). P. 45
- L.K. Orlov, A.V. Potapov, N.L. Ivina, E.A. Steinman, V.I. Vdovin. Solid State Phenomena 69--70, 377 (1999)
- Э.А. Штейнман. Докт. дис. ИФТТ РАН, Черноголовка (2002)
- А. Милнс, Д. Фойхт. Гетероструктуры и переходы металл--полупроводник. Мир, М. (1975)
- Л.К. Орлов, А.В. Потапов, С.В. Ивин. ЖТФ 70, 6, 102 (2000)
- Л.К. Орлов, В.А. Толомасов, А.В. Потапов. Тр. Второго Рос. симп. "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур" / Под ред. В.П. Гинкина. Обнинск (1998). С. 288
- В.А. Толомасов, Л.К. Орлов, С.П. Светлов, А.Д. Гудкова, А.В. Корнаухов, А.В. Потапов, Ю.Н. Дроздов. Кристаллография 43, 3, 535 (1998)
- Л.К. Орлов, В.А. Толомасов, А.В. Потапов, В.И. Вдовин. Материалы электронной техники 2, 30 (1998)
- E.P. O'Relly. Semicond. Sci. Technol. 4, 121 (1989)
- M.M. Rieger, P. Vogl. Phys. Rev. B 48, 19, 14 276 (1993)
- Zs.J. Horvath, M. Adam, I. Szabo, M. Serenyi, Vo Van Tuyen. Appl. Surf. Sci. 190, 441 (2002)
- Zs.J. Horvath, L.K. Orlov, V. Rakovics, N.L. Ivina, A.L. Toth, E.S. Demidov, Ferenc Riesz, V.I. Vdovin, Z. Paszti. Proc. DRIP X. Batz-Sur-Mer, France (2003). P. 107
- C. Van Opdorp, N.K.J. Kanerva. Solid State. Electron. 10, 401 (1967)
- L.K. Orlov, Z.J. Horvath, N.L. Ivina, V.I. Vdovin, E.A. Steinman, M.L. Orlov, Yu.A. Romanov. Opto-Electron. Rev. 11, 2, 85 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
