Вышедшие номера
Электрические характеристики и зонная энергетическая диаграмма изотипного n-Si1-xGex/n-Si-гетероперехода в релаксированных структурах
Орлов Л.К.1, Хорват Ж.Й.2, Потапов А.В.1, Орлов М.Л.3, Ивин С.В.3, Вдовин В.И.4, Штейнман Э.А.5, Фомин В.М.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Hungarian Academy of Sciences, Budapest, Hungary
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4Институт химических проблем микроэлектроники, Москва, Россия
5Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: orlov@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 27 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Исследованы электрические характеристики релаксированного изотипного n-Si1-xGex/n-Si-гетероперехода в условиях формирования в окрестности гетерограницы сетки дислокаций несоответствия и на основе этих измерений изучены особенности структуры энергетических зон гетеросистемы. Показано, что зонная структура кристалла в окрестности границы формируется зарядом на дефектах решетки. Параметры потенциального барьера оценены на основании анализа температурных зависимостей вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик системы. Работа выполнена по соглашению между Российской и Венгерской академиями наук (программа N 15) в рамках проектов МНТЦ N 2372 и ОТКА (Венгрия) N T035272.