"Физика твердого тела"

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электрические свойства аморфных нанокомпозитов (Co₄₅Fe₄₅Zr₁₀)_x(Al₂O₃)_1-x

Калинин Ю.Е.¹, Ремизов А.Н.¹, Ситников А.В.¹

¹Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия Voronezh State Technical University, Voronezh, Russia

Email: kalinin@ns1.vstu.ac.ru

Поступила в редакцию: 15 марта 2004 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы электрические свойства гранулированных нанокомпозитов (Co₄₅Fe₄₅Zr₁₀)_x(Al₂O₃)_1-x. Концентрационные зависимости электрического сопротивления имеют S-образный вид (согласно модели перколяционной теории проводимости) с порогом в области концентраций ~41 at.% металлического компонента. Анализ температурных зависимостей в интервале температур 300-973 K показал, что в процессе структурной релаксации и кристаллизации аморфной фазы наблюдаются снижение электрического сопротивления в композитах после порога протекания и увеличение электрического сопротивления до порога протекания. Установлено, что при содержании металлической фазы x<41 at.% в области низких температур (77-180 K) доминирующим механизмом переноса заряда является прыжковый механизм проводимости с переменной длиной прыжка по локализованным состояниям вблизи уровня Ферми. Дальнейшее повышение температуры сопровождается сменой механизма проводимости: от закона Мотта ln(sigma) propto (1/T)^1/4 к зависимости ln(sigma) propto (1/T)^1/2. С помощью модели неупругого резонансного туннелирования через цепочку локализованных состояний диэлектрической матрицы найдено среднее число локализованных состояний между металлическими гранулами, участвующих в процессе переноса заряда. Работа выполнена за счет средств Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-02-96486) и МО РФ на поддержку ведущих научно-педагогических коллективов.

S. Honda. J. Magn. Magn. Mater. 165, 153 (1997)
K. Yakushiji, S. Mitani, K. Takanashi. J. Magn. Magn. Mater. 212, 75 (2000)
N. Kobayashi, S. Ohnuma, T. Masumoto, H. Fujimori. J. Appl. Phys. 90, 8, 4159 (2001)
И.В. Быков, Е.А. Ганьшина, А.Б. Грановский, В.С. Гущин. ФТТ 42, 3, 487 (2000)
А.В. Кимель, Р.В. Писарев, А.А. Ржевский, Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников, О.В. Стогней, F. Bentivegna, Th. Rasing. ФТТ 45, 2, 269 (2003)
Н.Е. Казанцева, А.Т. Пономаренко, В.Г. Шевченко, И.А. Чмутин, Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников. Физика и химия обраб. материалов 1, 5 (2002)
О.В. Стогней, Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников, И.В. Золотухин, А.В. Слюсарев. ФММ 91, 1, 24 (2001)
Б.А. Аронзон, А.Е. Варфоломеев, А.А. Ликальтер, В.В. Рыльков, М.В. Седова. ФТТ 41, 6, 944 (1999)
Yu.E. Kalinin, A.V. Sitnikov, O.V. Stognei, I.V. Zolotukhin, P.V. Neretin. Mat. Sci. Eng. A 304--306, 941 (2001)
H.R. Khan, A. Granovsky, F. Brouers, E. Ganshina, J.P. Clerc, M. Kurmichev. J. Magn. Magn. Mater. 183, 127 (1998)
J.C. Denardin, A.B. Pakhomov, M. Knobel, H. Liu, X.X. Zhang. J. Phys.: Cond. Mater. 12, 3397 (2000)
B. Abeles, R.W. Cohen, G.W. Cullen. Phys. Rev. Lett. 17, 632 (1966)
P. Sheng, B. Abeles, Y. Arie. Phys. Rev. Lett. 31, 1, 44 (1973)
E. Cuevas, M. Ortuno, J. Ruiz. Phys. Rev. Lett. 71, 12, 1871 (1993)
Е.З. Мейлихов. ЖЭТФ 115, 4, 1484 (1999)
Л.И. Глазман, К.А. Матвеев. ЖЭТФ 94, 6, 332 (1988)
Л.И. Глазман, Р.И. Шехтер. ЖЭТФ 94, 1, 292 (1988)
Л.В. Луцев, Т.К. Звонарева, В.М. Лебедев. Письма в ЖТФ 27, 15, 84 (2001)
Л.В. Луцев, Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников, О.В. Стогней. ФТТ 44, 10, 1802 (2002)
Н.Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1974). 472 с
S. Weng, S. Moehlecke, M. Strongin. Phys. Rev. Lett. 50, 22, 1795 (1983)
M.A.S. Boff, J. Geshev, J.E. Schmidt, W.H. Flores, A.B. Antunes, M.A. Gusmao, S.R. Teixeira. J. Appl. Phys. 91, 12, 9909 (2002)
И.В. Золотухин, Ю.Е. Калинин, П.В. Неретин, А.В. Ситников, О.В. Стогней. Альтернатив. энергетика и экология 2, 7 (2002)
П. Ольхафен. Металлические стекла. Мир, М. (1986). Ч. II. С. 328--378
В. Хейванг, У. Биркхольц, Р. Айнцингер, Л. Ханке, К. Кемптер, А. Шнеллер. Аморфные и поликристаллические полупроводники. Мир, М. (1987). С. 23
Ю.Е. Калинин, А.Н. Ремизов, А.В. Ситников, Н.П. Самцова. Перспектив. материалы 3, 62 (2003)
Ю.Р. Закис. Дефекты в стеклообразном состоянии вещества. Зинатне, Рига (1984). 202 с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель