Издателям
Вышедшие номера
Эффект нестационарной проводимости высокоомного кристалла SrTiO3, содержащего сеть проводящих нанонитей
Шаблаев С.И.1, Грачев А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: grach.shuv@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Проводимость высокоомного кристалла SrTiO3, обусловленная присутствием в объеме образца проводящих нанонитей, демонстрирует нестационарное поведение, что, в частности, выражается в длительном снижении тока при фиксированном значении приложенного напряжения. Данный процесс, как и восстановление исходной проводимости, характеризуется широким спектром времен от десятков секунд до десятка дней. Установлено, что падение тока связано с изменением проводимости в области обратносмещенного контакта, обусловленным, скорее всего, ростом высоты/ширины поверхностного барьера. Модуляция энергетического профиля барьера может иметь разнонаправленный характер в зависимости от знака заряда, формируемого при участии поверхностных состояний на границе раздела электрод-кристалл. Полученные результаты позволяют прояснить механизм переноса заряда в локальных регионах контакта, где металлизированные нанонити достаточно глубоко проникают внутрь обедненного слоя барьера.
  1. С.И. Шаблаев, А.И. Грачев. ФТТ 56, 655 (2014)
  2. С.И. Шаблаев, А.И. Грачев. ФТТ 57, 1479 (2015)
  3. С.И. Шаблаев, А.И. Грачев. ФТТ 58, 905 (2016)
  4. К. Szot, W. Speier, R. Carius, U. Zastrow, W. Beyer. Phys. Rev. Lett. 88, 75508 (2002)
  5. К. Szot, W. Speier, G. Bihlmayer, R. Waser. Nature Mater. 5, 312 (2006)
  6. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot. Adv. Mater. 21, 2632 (2009)
  7. R. Muenstermann, T. Menke, R. Dittmann, R. Waser. Adv. Mater. 22, 4819 (2010)
  8. R. Waser, M. Klee. Integr. Ferroelectrics 2, 257 (1992)
  9. C. Ni, S.M. Guo, H.F. Tian, Y.G. Zhao, J.Q. Li. Appl. Phys. Lett. 91, 183 502 (2007)
  10. H.-J. Zhang, X-P. Zhang, Y.-G. Zhao. Chin. Phys. Lett. 26, 077303 (2009)
  11. X.B. Yan, K. Li, J. Yin, Y.D. Xia, H.X. Guo, L. Chen, Z.G. Liua. Electrochem. Solid-State Lett. 13, H87 (2010)
  12. Z.B. Yan, J.-M. Liu. Sci. Rep. 3, 2482 (2014)
  13. D. Kan, Y. Shimakawa. Appl. Phys. Lett. 103, 142910 (2013)
  14. X-B. Yin, Z-H. Tan, X. Guo. Phys. Chem. Chem. Phys 17, 134 (2015)
  15. E. Mikheev, B.D. Hoskins, D.B. Strukov, S. Stemmer. Nature Commun. 5, 3990 (2014)
  16. E. Mikheev, J. Hwang, A.P. Kajdos, A.J. Hauser, S. Stemmer. Sci. Rep. 5, 11079 (2015)
  17. C. Sudhama, A.C. Campbell, P.D. Maniar, R.E. Jones, R. Moazzami, C.J. Mogab, J.C. Lee. J. Appl. Phys. 75, 1014 (1994)
  18. S.-G. Yoon, A.I. Kingon, S.-H. Kim. J. Appl. Phys. 88, 6690 (2000)
  19. B. Nagaraj, S. Aggarwal, R. Ramesh. J. Appl. Phys. 90, 375 (2001)
  20. I. Stolichnov, A. Tagantsev. J. Appl. Phys. 84, 3216 (1998)
  21. Э.Х. Родерик. Контакты металл-полупроводник. Радио и связь, М. (1982). 208 с
  22. G.D.J. Smit, S. Rogge, T.M. Klapwijk. Appl. Phys. Lett. 81, 3852 (2002)
  23. J. Hou, S.S. Nonnenmann, W. Qin, D.A. Bonnell. Adv. Funct. Mater. 24, 4113 (2014)
  24. Y.B. Zhu, L.K. Ang. Sci. Rep. 5, 9173 (2015)
  25. B.K. Readly. Proc. Phys. Soc. 82, 954 (1963)
  26. A. Thanailakis, D.C. Northop. J. Phys. D 4, 1776 (1971)
  27. E.M. Bourim, Y. Kim, D.-W. Kim. ECS J. Solid State Sci. Technol. 3, N95 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.