Издателям
Вышедшие номера
Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Резник Р.Р.1,2,3, Котляр К.П.1,4, Илькив И.В.1,2, Сошников И.П.1,4,5, Кукушкин С.А.1,3,6, Осипов А.В.1,3,6, Никитина Е.В.1, Цырлин Г.Э.1,3,7
1Санкт-Петербургский aкадемический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
7Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: moment92@mail.ru.ru
Поступила в редакцию: 8 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Продемонстрирована принципиальная возможность выращивания нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке с наноразмерным буферным слоем карбида кремния. Исследованы морфологические и оптические свойства полученной системы. Показано, что интенсивность пика спектра фотолюминесценции у таких структур более чем в 2 раза выше, чем у лучших структур нитевидных нанокристаллов GaN без буферного слоя карбида кремния. Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РФФИ N 15-02-06839 и фонда Сколково (соглашение о предоставлении гранта Pоссийской образовательной и научной организации N 6 от 30 декабря 2015 г.). С.А. Кукушкин и А.В. Осипов благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-22-00018).
  1. S.J. Pearton, F. Ren. F. Adv. Mater. 12, 1571 (2000)
  2. S. Nakamura, G. Fasol. The blue laser diode. GaN based light emitters and lasers. Springer-Verlag, N.Y. (1997). 343 p
  3. Ioffe data archive: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM
  4. Р.Н. Кютт. Письма в ЖТФ 36, 15, 14 (2010)
  5. И.Г. Аксянов, В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, М.Е. Коман, Е.В. Коненкова, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.Н. Родин, Н.А. Феоктистов, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов. Письма в ЖТФ 34, 11, 54 (2008)
  6. R.A. Oliver, M.J. Kappers, C. McAleese. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 19, 208 (2008)
  7. D. Cherns, W.T. Young, M.A. Saunders, F.A. Ponce, S. Nakamura. Microscopy Semicond. Mater. 157, 187 (1997)
  8. S.J. Rosner, S.E. Carr, M.J. Ludowise, G. Girolami, H.I. Erikson. Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997)
  9. L.P. Sigiura. J. Appl. Phys. 81, 1633 (1997)
  10. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
  11. В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП 43, 1585 (2009)
  12. Z. Zhong, F. Qian, D. Wang, C.M. Lieber. Nano Lett. 3, 343 (2003)
  13. H.J. Choi, J.C. Johnson, R. He. J. Phys. Chem. B 107, 8721 (2003)
  14. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  15. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313001 (2014)
  16. M. Tchernycheva, C. Sartel, G.E. Cirlin, L. Travers, G. Patriarche, J-C. Harmand, Le Si Dang, J. Renard, B. Gayral, L. Nevou, F. Julien. Nanotechnology 18, 385306 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.