Издателям
Вышедшие номера
Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Резник Р.Р.1,2,3, Котляр К.П.1,4, Илькив И.В.1,2, Сошников И.П.1,4,5, Кукушкин С.А.1,3,6, Осипов А.В.1,3,6, Никитина Е.В.1, Цырлин Г.Э.1,3,7
1Санкт-Петербургский aкадемический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
7Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: moment92@mail.ru.ru
Поступила в редакцию: 8 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2016 г.

Продемонстрирована принципиальная возможность выращивания нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке с наноразмерным буферным слоем карбида кремния. Исследованы морфологические и оптические свойства полученной системы. Показано, что интенсивность пика спектра фотолюминесценции у таких структур более чем в 2 раза выше, чем у лучших структур нитевидных нанокристаллов GaN без буферного слоя карбида кремния. Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РФФИ N 15-02-06839 и фонда Сколково (соглашение о предоставлении гранта Pоссийской образовательной и научной организации N 6 от 30 декабря 2015 г.). С.А. Кукушкин и А.В. Осипов благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-22-00018).
  • S.J. Pearton, F. Ren. F. Adv. Mater. 12, 1571 (2000)
  • S. Nakamura, G. Fasol. The blue laser diode. GaN based light emitters and lasers. Springer-Verlag, N.Y. (1997). 343 p
  • Ioffe data archive: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM
  • Р.Н. Кютт. Письма в ЖТФ 36, 15, 14 (2010)
  • И.Г. Аксянов, В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, М.Е. Коман, Е.В. Коненкова, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.Н. Родин, Н.А. Феоктистов, Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов. Письма в ЖТФ 34, 11, 54 (2008)
  • R.A. Oliver, M.J. Kappers, C. McAleese. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 19, 208 (2008)
  • D. Cherns, W.T. Young, M.A. Saunders, F.A. Ponce, S. Nakamura. Microscopy Semicond. Mater. 157, 187 (1997)
  • S.J. Rosner, S.E. Carr, M.J. Ludowise, G. Girolami, H.I. Erikson. Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997)
  • L.P. Sigiura. J. Appl. Phys. 81, 1633 (1997)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
  • В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП 43, 1585 (2009)
  • Z. Zhong, F. Qian, D. Wang, C.M. Lieber. Nano Lett. 3, 343 (2003)
  • H.J. Choi, J.C. Johnson, R. He. J. Phys. Chem. B 107, 8721 (2003)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313001 (2014)
  • M. Tchernycheva, C. Sartel, G.E. Cirlin, L. Travers, G. Patriarche, J-C. Harmand, Le Si Dang, J. Renard, B. Gayral, L. Nevou, F. Julien. Nanotechnology 18, 385306 (2007)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.