Ранее авторами было показано, что отжиг диоксида кремния в бескислородной среде приводит к образованию кластеров кремния вблизи поверхности. Механизм формирования кластеров кремния таким способом изучен недостаточно, однако установлено, что скорость образования нанокластеров и их размер зависят от содержания точечных дефектов в диоксиде кремния и содержания примесей, например гидроксильных групп. В продолжение этих исследований изучено изменение содержания точечных дефектов в пленках диоксида кремния в процессе отжига. Для оценки изменения содержания точечных дефектов до и после отжига предложена новая методика. Предложена модель трансформации точечных дефектов в диоксиде кремния в нанокластеры кремния в результате высокотемпературного отжига. Работа выполнена с использованием оборудования ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях" при поддержке Министерства образования и науки РФ (соглашение о предоставлении субсидии N 14.621.21.0007 id RFMEFI62114X0007), а также при частичной финансовой поддержке РФФИ в рамках гранта N 15-03-06206 А.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.