Вышедшие номера
Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si
Кукушкин С.А. 1,2,3, Николаев В.И. 2,4,5, Осипов А.В. 1,2,3, Осипова Е.В. 1, Печников А.И. 2,4, Феоктистов Н.А. 1,4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 24 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Методом хлоридной эпитаксии на пластинах кремния ориентации (111) с буферным слоем нано SiC выращены хорошо текстурированные, близкие по структуре к эпитаксиальным слои оксида галлия beta-Ga2O3 толщиной ~1 mum. Для улучшения роста на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~100 nm. Пленки beta-Ga2O3 всесторонне исследованы методами электронографии, эллипсометрии, рентгеноструктурного анализа, растровой электронной микроскопии и микрорамановской спектроскопии. Исследования показали, что пленки текстурированы со структурой, близкой к эпитаксиапльной, и состоят из чистой beta-фазы Ga2O3, имеющей ориентацию (201). Измерена зависимость диэлектрической проницаемости эпитаксиального beta-Ga2O3 от энергии фотона в дипазоне 0.7-6.5 eV в изотропном приближении. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов и Н.А. Феоктистов выражают благодарность РФФИ за финансовую поддержку (гранты N 15-0306155 и 16-29-03149_2016-офи). В.И. Николаев и А.И. Печников благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант РНФ N 14-29-00086) в исследовании эпитаксиального роста оксида галлия.
  1. M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi. Appl. Phys. Lett. 100, 013 504 (2012)
  2. K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi. J. Cryst. Growth 378, 591 (2013)
  3. L. Kong, J. Ma, C. Luan, W. Mi, Y. Lv. Thin Solid Films 520, 4270 (2012)
  4. D. Gogova, G. Wagner, M. Baldini, M. Schmidbauer, K. Irmscher, R. Schewski, Z. Galazka, M. Albrecht, R. Fornari. J. Cryst. Growth 401, 665 (2014)
  5. G. Wagner, M. Baldini, D. Gogova, M. Schmidbauer, R. Schewski, M. Albrecht, Z. Galazka, D. Klimm, R. Fornari. Phys. Status Solidi A 211, 27 (2014)
  6. D.J. Comstock, J.W. Elam. Chem. Mater. 24, 4011 (2012)
  7. T. Matsumoto, M. Aoki, A. Kinoshita, T. Aono. Jpn. J. Appl. Phys. 13, 1578 (1974)
  8. Y. Oshima, E.G. Villora, K. Shimamura, E.G. Villora, K. Shimamura, K. Nomura. J. Cryst. Growth 410, 53 (2015)
  9. Y. Oshima, E.G. Villora, Y. Matsushita, S. Yamamoto, K. Shimamura. J. Appl. Phys. 118, 085 301 (2015)
  10. V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, I.P. Nikitina, A.N. Smirnov, A.V. Chikiryaka, S.S. Sharofidinov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Mater. Sci. Semicond. Proc. 47, 16 (2016)
  11. S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci. 44, 63 (2016)
  12. S. Geller. J. Chem. Phys. 33, 676 (1960)
  13. A. Trinchi, W. Wlodarski, Y.X. Li. Sensors Actuators B 100, 1--2, 94 (2004)
  14. A. Trinchi, Y.X. Li, W. Wlodarski, S. Kaciulis, L. Pandolfi. Proc. SPIE 4936, 327 (2002)
  15. S.-H. Chang, Z.-Z. Chen, W. Huang, X.-C. Liu, B.-Y. Chen, Z.-Z. Li, E.-W. Shi. Chin. Phys. B 20, 116 101 (2011)
  16. K. Nomura, K. Gotob, R. Togashia, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Koukitu. J. Cryst. Growth 405, 19 (2014)
  17. P. Vogt, O. Bierwagen. Appl. Phys. Lett. 106, 081 910 (2015)
  18. D.H. Kim, S.H. Yoo, T.-M. Chung, K.-S. An, H.-S. Yoo, Y. Kim. Bull. Korean Chem. Soc. 23, 225 (2002)
  19. S. Rafique, L. Han, C.A. Zorman, H. Zhao. Cryst. Growth Desing 16, 511 (2016)
  20. A. HahneL, E. Pippel, J. Woltersdorf. Cryst. Res. Technol. 35, 663 (2000)
  21. Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, S. Yoshida. In: Physics and technology of silicon carbide devices / Ed. Y. Hijikata. (2012). P. 181--206
  22. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313 001 (2014)
  23. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  24. С.Г. Жуков, С.А. Кукушкин, А.В. Лукьянов, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. Патент N 130996. Приоритет от 26.02.2013
  25. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТП 47, 1575 (2013)
  26. Z. Sun, L.H. Yang, X.C. Shen, Z.H. Chen. Chi. Sci. Bull. 57, 565 (2012)
  27. R. Rao, A.M. Rao, B. Xu, J. Dong, S. Sharma, M.K. Sunkara. J. Appl. Phys. 98, 094 312 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.