Вышедшие номера
Полевые транзисторные структуры на основе поли(3-гексилтиофена), производных фуллеренов [60]PCBM, [70]PCBM и наночастиц никеля
Алешин А.Н.1, Щербаков И.П.1, Трапезникова И.Н.1, Петров В.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: aleshin@transport.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Получены органические полевые транзисторные (ОПТ) структуры с активными слоями на основе композитных пленок полупроводникового полимера --- поли(3-гексилтиофена) --- P3HT, производных фуллеренов [60]PCBM и [70]PCBM, а также наночастиц никеля (Ni) и исследованы их оптические, электрические и фотоэлектрические свойства. Показано, что введение наночастиц Ni в пленки P3HT : [60]PCBM и P3HT : [70]PCBM приводит к росту поглощения и гашению фотолюминесценции композита в спектральном диапазоне 400-600 nm вследствие плазмонного эффекта. В ОПТ-структурах на основе P3HT : [60]PCBM : Ni и P3HT : [70]PCBM : Ni при концентрациях P3HT : [60]PCBM и P3HT : [70]PCBM ~1 : 1 и Ni ~3-5 wt.% наблюдаются вольт-амперные характеристики (ВАХ), характерные для амбиполярных ОПТ с преобладающей дырочной проводимостью. Рассчитанные из ВАХ значения подвижности носителей заряда --- дырок --- при VG=-10 V составили ~ 0.46 cm2/Vs для P3HT : [60]PCBM : Ni и ~ 4.7 cm2/Vs для P3HT : [70]PCBM : Ni, что свидетельствует о возрастании подвижности при переходе в составе композитов от [60]PCBM к [70]PCBM. Исследован эффект воздействия света на ВАХ ОПТ на основе композитных пленок P3HT : [60]PCBM : Ni и P3HT : [70]PCBM : Ni.
  1. T.A. Skotheim, J.R. Reynolds. Handbook of Conducting Polymers. Third Ed. CRC Press, N.Y., V. 1-2 (2007). Р. 1949
  2. A. Hepp, H. Heil, W. Weise, M. Ahles, R. Schmechel, H. von Seggern. Phys. Rev. Lett. 91, 157 406 (2003)
  3. J. Zaumseil, R.H. Friend, H. Sirringhaus. Nature Mater. 5, 69 (2006)
  4. J.S. Swensen, C. Soci, A.J. Heeger. Appl. Phys. Lett. 87, 253 511 (2005)
  5. H. Kim, J. Y. Kim, S. H. Park, K. Lee, Y. Jin, J. Kim, H. Suh. Appl. Phys. Lett. 86, 183 502 (2005)
  6. E.J. Meijer, D.M. De Leeuw, S. Setayesh, E.V. Veenendaal, B.-H. Huisman, P.W.M. Blom, J.C. Hummelen, U. Scherf, T.M. Klapwijk. Nature Mater. 2, 678 (2003)
  7. W. Ma, C.Y. Yang, X. Gong, K. Lee, A.J. Heeger. Adv. Funct. Mater. 15, 1617 (2005)
  8. I. Etxebarria, J. Ajuria, R. Pacios. Organic Electr. 19, 34 (2015)
  9. C.J. Brabec, N.S. Saricitci, J.C. Hummelen. Adv. Func. Mater. 11, 15 (2001)
  10. E. von Hauff, J. Parisi, V. Dyakonov. Thin Solid Films 511, 506 (2006)
  11. S. Cho, J. Yuen, J.Y. Kim, K. Lee, A.J. Heeger. Appl. Phys. Lett. 89, 153 505 (2006)
  12. S. Cho, S.-H. Nho, M. Eo, M.H. Lee. Org. Electr. 15, 1002 (2014)
  13. C.C.D. Wang, W.C.H. Choy, C. Duan, D.D.S. Fung, W.E.I. Sha, F.-X. Xie, F. Huang, Y. Cao. J. Mater. Chem. 22, 1206 (2012)
  14. Z. Liu, S.Y. Lee, E.-C. Lee. Appl. Phys. Lett. 105, 223 306 (2014)
  15. А.Н. Алешин, Ф.С. Федичкин, П.Е. Гусаков. ФТТ 53, 2251 (2011)
  16. J.-Y. Cho, B. Domercq, S.C. Jones, J. Yu, X. Zhang, Z. An, M. Bishop, S. Barlow, S.R. Marder, B. Kippelen. J. Mater. Chem. 17, 2642 (2007)
  17. А.Н. Алешин, И.П. Щербаков, Ф.С. Федичкин. ФТТ 54, 1586 (2012)
  18. W.E.I. Sha, W.C.H. Choy, Y.G. Liu, W.C. Chew. Appl. Phys. Lett. 99, 113 304 (2011)
  19. C.D. Dimitrakopoulos, P.R.L. Malenfant. Adv. Mater. 14, 99 (2002)
  20. H. Sirringhaus, P.J. Brown, R.H. Friend, M.M. Nielsen, K. Bechgaard, B.M.W. Langeveld-Voss, A.J.H. Spiering, R.A.J. Janssen, E.W. Meijer, P. Herwig, D.M. de Leeuw. Nature  401, 685 (1999)
  21. K.A. Mohamad, A. Alias, I. Saad, B.K. Gosh, K. Uesugi, H. Fukuda. J. Chem. Chem. Eng. 8, 476 (2014)
  22. J.Y. Kim, K. Lee, N.E. Coates, W.L. Ma, D. Moses, A.J. Heeger. Science 317, 222 (2007)
  23. H. Sirringhaus, N. Tessler, R.H. Friend. Science 280, 1741 (1998)
  24. D.E. Markov, J.C. Hummelen, P.W.M. Blom, A.B. Sieval. Phys. Rev. B 72, 045 216 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.