Издателям
Вышедшие номера
Полевые транзисторные структуры на основе поли(3-гексилтиофена), производных фуллеренов [60]PCBM, [70]PCBM и наночастиц никеля
Алешин А.Н.1, Щербаков И.П.1, Трапезникова И.Н.1, Петров В.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: aleshin@transport.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Получены органические полевые транзисторные (ОПТ) структуры с активными слоями на основе композитных пленок полупроводникового полимера --- поли(3-гексилтиофена) --- P3HT, производных фуллеренов [60]PCBM и [70]PCBM, а также наночастиц никеля (Ni) и исследованы их оптические, электрические и фотоэлектрические свойства. Показано, что введение наночастиц Ni в пленки P3HT : [60]PCBM и P3HT : [70]PCBM приводит к росту поглощения и гашению фотолюминесценции композита в спектральном диапазоне 400-600 nm вследствие плазмонного эффекта. В ОПТ-структурах на основе P3HT : [60]PCBM : Ni и P3HT : [70]PCBM : Ni при концентрациях P3HT : [60]PCBM и P3HT : [70]PCBM ~1 : 1 и Ni ~3-5 wt.% наблюдаются вольт-амперные характеристики (ВАХ), характерные для амбиполярных ОПТ с преобладающей дырочной проводимостью. Рассчитанные из ВАХ значения подвижности носителей заряда --- дырок --- при VG=-10 V составили ~ 0.46 cm2/Vs для P3HT : [60]PCBM : Ni и ~ 4.7 cm2/Vs для P3HT : [70]PCBM : Ni, что свидетельствует о возрастании подвижности при переходе в составе композитов от [60]PCBM к [70]PCBM. Исследован эффект воздействия света на ВАХ ОПТ на основе композитных пленок P3HT : [60]PCBM : Ni и P3HT : [70]PCBM : Ni.
  • T.A. Skotheim, J.R. Reynolds. Handbook of Conducting Polymers. Third Ed. CRC Press, N.Y., V. 1-2 (2007). Р. 1949
  • A. Hepp, H. Heil, W. Weise, M. Ahles, R. Schmechel, H. von Seggern. Phys. Rev. Lett. 91, 157 406 (2003)
  • J. Zaumseil, R.H. Friend, H. Sirringhaus. Nature Mater. 5, 69 (2006)
  • J.S. Swensen, C. Soci, A.J. Heeger. Appl. Phys. Lett. 87, 253 511 (2005)
  • H. Kim, J. Y. Kim, S. H. Park, K. Lee, Y. Jin, J. Kim, H. Suh. Appl. Phys. Lett. 86, 183 502 (2005)
  • E.J. Meijer, D.M. De Leeuw, S. Setayesh, E.V. Veenendaal, B.-H. Huisman, P.W.M. Blom, J.C. Hummelen, U. Scherf, T.M. Klapwijk. Nature Mater. 2, 678 (2003)
  • W. Ma, C.Y. Yang, X. Gong, K. Lee, A.J. Heeger. Adv. Funct. Mater. 15, 1617 (2005)
  • I. Etxebarria, J. Ajuria, R. Pacios. Organic Electr. 19, 34 (2015)
  • C.J. Brabec, N.S. Saricitci, J.C. Hummelen. Adv. Func. Mater. 11, 15 (2001)
  • E. von Hauff, J. Parisi, V. Dyakonov. Thin Solid Films 511, 506 (2006)
  • S. Cho, J. Yuen, J.Y. Kim, K. Lee, A.J. Heeger. Appl. Phys. Lett. 89, 153 505 (2006)
  • S. Cho, S.-H. Nho, M. Eo, M.H. Lee. Org. Electr. 15, 1002 (2014)
  • C.C.D. Wang, W.C.H. Choy, C. Duan, D.D.S. Fung, W.E.I. Sha, F.-X. Xie, F. Huang, Y. Cao. J. Mater. Chem. 22, 1206 (2012)
  • Z. Liu, S.Y. Lee, E.-C. Lee. Appl. Phys. Lett. 105, 223 306 (2014)
  • А.Н. Алешин, Ф.С. Федичкин, П.Е. Гусаков. ФТТ 53, 2251 (2011)
  • J.-Y. Cho, B. Domercq, S.C. Jones, J. Yu, X. Zhang, Z. An, M. Bishop, S. Barlow, S.R. Marder, B. Kippelen. J. Mater. Chem. 17, 2642 (2007)
  • А.Н. Алешин, И.П. Щербаков, Ф.С. Федичкин. ФТТ 54, 1586 (2012)
  • W.E.I. Sha, W.C.H. Choy, Y.G. Liu, W.C. Chew. Appl. Phys. Lett. 99, 113 304 (2011)
  • C.D. Dimitrakopoulos, P.R.L. Malenfant. Adv. Mater. 14, 99 (2002)
  • H. Sirringhaus, P.J. Brown, R.H. Friend, M.M. Nielsen, K. Bechgaard, B.M.W. Langeveld-Voss, A.J.H. Spiering, R.A.J. Janssen, E.W. Meijer, P. Herwig, D.M. de Leeuw. Nature  401, 685 (1999)
  • K.A. Mohamad, A. Alias, I. Saad, B.K. Gosh, K. Uesugi, H. Fukuda. J. Chem. Chem. Eng. 8, 476 (2014)
  • J.Y. Kim, K. Lee, N.E. Coates, W.L. Ma, D. Moses, A.J. Heeger. Science 317, 222 (2007)
  • H. Sirringhaus, N. Tessler, R.H. Friend. Science 280, 1741 (1998)
  • D.E. Markov, J.C. Hummelen, P.W.M. Blom, A.B. Sieval. Phys. Rev. B 72, 045 216 (2005)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.