Издателям
Вышедшие номера
Слабая антилокализация в тонких пленках твердого раствора Bi2Te2.7Se0.3
Фонд развития науки при Президенте Азербайджанской республики, Спин-поляризованные и спин-упорядоченные системы для технологий нового поколения, EİF-2012-2(6)-39/01/1
Абдуллаев Н.А.1, Алекперов О.З.1, Алигулиева Х.В.1, Зверев В.Н.2, Керимова А.М.1, Мамедов Н.Т.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
Email: abnadir@physics.ab.az
Поступила в редакцию: 4 августа 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2016 г.

Разработана технология получения тонких пленок твердого раствора Bi2Te2.7Se0.3 термическим испарением в вакууме методом "горячей стенки". Высокое качество полученных тонких пленок подтверждается данными рентгеновской дифракции и рамановского рассеяния. Исследован транспорт электронов в широкой области температур (1.4-300 K) и магнитных полей вплоть до 8 T. Предполагается, что наблюдаемая слабая антилокализация обусловлена доминирующим вкладом поверхностных состояний топологического изолятора. Оценена длина сбоя фазы. Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда развития науки при Президенте Азербайджана (грант N EIF /GAM-3-2014-6(21)-24/01/1).
  1. L. Fu, C. L. Kane. Phys. Rev. B 76, 045 302 (2007)
  2. M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys. 82, 3045 (2010)
  3. X.L. Qi, S. C. Zhang. Phys. Today 63, 33 (2010)
  4. J.E. Moore. Nature 464, 194 (2010)
  5. L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 47, 12 727 (1993)
  6. L.D. Hicks, T.C. Harman, M.S. Dresselhaus. Appl. Phys. Lett. 63, 3230 (1993)
  7. L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B 47, 16 631 (1993)
  8. J. Chen, H.J. Qin, F. Yang, J. Liu, T. Guan, F.M. Qu, G.H. Zhang, J.R. Shi, X.C. Xie, C.L. Yang, K.H. Wu, Y.Q. Li, L. Lu, Phys. Rev. Lett. 105, 176 602 (2010)
  9. Y.S. Kim, M. Brahlek, N. Bansal, E. Edrey, G.A. Kapilevich, K. Iida, M. Tanimura, Y. Horibe, S.W. Cheong, S. Oh. Phys. Rev. B 84, 073 109 (2011)
  10. M. Liu, C.Z. Chang, Z. Zhang, Y. Zhang, W. Ruan, K. He, L.L. Wang, X. Chen, J.F. Jia, S.C. Zhang, Q.K. Xue, X.C. Ma, Y. Wang. Phys. Rev. B 83, 16 5440 (2011)
  11. Y. Takagaki, B. Jenichen, U. Jahn, M. Ramsteiner, K.-J. Friedland. Phys. Rev. B 85, 115 314 (2012)
  12. H. He, G. Wang, T. Zhang, I.K. Sou, G.K.L. Wong, J.N. Wang, H.Z. Lu, S.Q. Shen, F.C. Zhang. Phys. Rev. Lett. 106, 166 805 (2011)
  13. R. Venkatasubramanian, E. Sivola, T. Colpitts, B. O'Quinn. Nature 413, 597 (2001)
  14. В.А. Кутасов, Л.Н. Лукъянова, П.П. Константинов. ФТТ 42, 1985 (2000)
  15. Л.В. Прокофьева, Д.А. Пшенай-Северин, П.П. Константинов, А.А. Шабалдин. ФТП 43, 1009 (2009)
  16. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=-. Наука, М. (1972). 320 с
  17. Н.А. Абдуллаев, Н.М. Абдуллаев, А.М. Керимова, С.Ш. Кахраманов, А.И. Байрамов, H. Miyamoto, K. Wakita, Н.Т. Мамедов, С.А. Немов. ФТП 46, 1163 (2012)
  18. W. Richter, H. Kohler, C.R. Becker. Phys. Status Solidi B 84, 619 (1977)
  19. D. Teweldebrhan, V. Goyal, A.A. Balandin. Nano Lett. 10, 1209 (2009)
  20. Н.А. Абдуллаев, Н.М. Абдуллаев, Х.В. Алигулиева, А.М. Керимова, К.М. Мустафаева, И.Т. Мамедова, Н.Т. Мамедов, С.А. Немов, П.О. Буланчук. ФТП 47, 586 (2013)
  21. Н.А. Абдуллаев, С.Ш. Кахраманов, Т.Г. Керимова, К.М. Мустафаева, С.А. Немов. ФТП 43, 156 (2009)
  22. А.А. Абрикосов. Основы теории металлов. Наука, М. (1987). 520 с
  23. S.P. Chiu, J.J. Lin. Phys. Rev. B 87, 035 112 (2013)
  24. B. Hamdou, J. Gooth, A. Dorn, E. Pippel, K. Nielsch. Appl. Phys. Lett. 102, 223 110 (2013)
  25. A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, K.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys. 81, 109 (2009)
  26. G. Bergmann. Phys. Rep. 107, 1 (1984)
  27. S. Hikami, A.I. Larkin, Y. Nagaoka. Prog. Theor. Phys. 63, 707 (1980)
  28. H.Z. Lu, S.Q. Shen. Phys. Rev. Lett. 112, 146 601 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.