Издателям
Вышедшие номера
Морфология поверхности и рамановская спектроскопия тонких слоев халькогенидов висмута и сурьмы
Лукьянова Л.Н. 1, Бибик А.Ю. 2, Асеев В.А. 2, Усов О.А. 1, Макаренко И.В. 1, Петров В.Н. 1, Никоноров Н.В. 2, Кутасов В.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: lidia.lukyanova@mail.ioffe.ru, anastasiya.bibik@list.ru, aseev@io.itmo.ru, oleg.usov@mail.ioffe.ru, Igor.Makarenko@mail.ioffe.ru, krishkis@i.ua, Nikonorov@oi.ifmo.ru, v.kutasov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

Проведены исследования фононных спектров методом микрорамановской спектроскопии и морфологии межслоевой ван-дер-ваальсoвой поверхности (0001) полуконтактным методом атомно-силовой микроскопии при комнатной температуре в тонких слоях теллурида висмута и твердых растворах Bi2-xSbxTe3-ySey различного состава, относящихся к классу трехмерных топологических изоляторов. Анализ рамановских спектров и отношений интенсивностей активных и неактивных продольных оптических мод в зависимости от состава, морфологии межслоевой поверхности и толщины слоев позволил оценить влияние топологических поверхностных состояний дираковских фермионов, связанное с усилением электрон-фононного взаимодействия вследствие резонансного рамановского рассеяния, и определить составы, в которых вклад топологических поверхностных состояний становится доминирующим. Финансовая поддержка исследований частично получена в рамках проекта РФФИ N 13-08-00307.
  1. M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys. 82, 3045 (2010)
  2. Y.L Chen, J.G. Analytis, J.-H. Chu, Z.K. Liu, S.K. Mo, X.L. Qi, H.J. Zhang, H. Lu, X. Dai, Z.S. Fang, S.C. Zhang, I.R. Fisher, Z. Hussain, Z.-X. Shen. Science 325, 178 (2009)
  3. K.M.F. Shahil, M.Z. Hossain, D. Teweldebrhan, A.A. Balandin. Appl. Phys. Lett. 95 153 103 (2010)
  4. D. Teweldebrhan, V. Goyal, A.A. Balandin. Nano Lett. 10, 1209 (2010)
  5. L. Plucinski, A. Herdt, S. Fahrendorf, G. Bihlmayer, G. Mussler, S. Doring, J. Kampmeier, F. Matthes, D.E. Burgler, D. Grutzmacher, S. Blugel, C.M. Schneider. J. Appl. Phys. 113, 053 706 (2013)
  6. D.X. Qu, Y.S. Hor, J. Xiong, R.J. Cava, N.P. Ong. Science 329, 821 (2010)
  7. Л.Н. Лукьянова, Ю.А. Бойков, В.А. Данилов, О.А. Усов, М.П. Волков, В.А. Кутасов. ФТТ 56, 907 (2014)
  8. H. Qiao, J. Yuan, Z. Xu, C. Chen, S. Lin, Y. Wang, J. Song, Y. Liu, Q. Khan, H.Y. Hoh, C.-X. Pan, S. Li, Q. Bao. ACS Nano 9, 1886 (2015)
  9. J. Lee, J. Koo, Y.M. Jhon, J.H. Lee. Opt. Express 22, 6165 (2014)
  10. Y. Chen. Proc. SPIE 8373, 83730B (2012)
  11. Y. Chen. Surface excitonic thermoelectric devices. Patent US 20120138115. Pub. date: Jun. 7 2012
  12. И.В. Коробейников, Л.Н. Лукьянова, Г.В. Воронцов, В.В. Щенников, В.А. Кутасов. ФТТ 56, 263 (2014)
  13. S.V. Ovsyannikov, N.V. Morozova, I.V. Korobeinikov, L.N. Lukyanova, A.Y. Manakov, A.Y. Likhacheva, A.I. Ancharov, A.P. Vokhmyanin, I.F. Berger, O.A. Usov, V.A. Kutasov, V.A. Kulbachinskii, T. Okada, V.V. Shchennikov. Appl. Phys. Lett. 106, 143 901 (2015)
  14. К.С. Лузгин, В.А. Кутасов, Л.Н. Лукьянова. Сб. докл. VIII Межгосударств. семинара "Термоэлектрики и их применения". ФТИ, СПб (2002). С. 275--280
  15. W. Cheng, S.F. Ren. Phys. Rev. B 83, 094 301 (2011)
  16. R.M. Martin. Phys. Rev. B 4, 3676 (1971)
  17. D. Pietro, M. Ortolani, O.A. Limaj, A. Di Gaspare, V. Giliberti, F. Giorgianni, M. Brahlek, N. Bansal, N. Koirala, S. Oh, P. Calvani, S. Lupi. Nature Nanotechnol. 8, 556 (2013)
  18. Yu.D. Glinka, S. Babakiray, T.A. Johnson, D. Lederman. J. Phys.: Condens. Matter 27 052 203 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.