Вышедшие номера
Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si
Российский научный фонд, 14-12-01102
Кукушкин С.А.1,2,3, Осипов А.В.1,2, Романычев А.И.4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

Впервые выращены эпитаксиальные пленки оксида цинка на кремнии методом молекулярного наслаивания при T=250oC. Для того чтобы избежать химической реакции между кремнием и оксидом цинка (константа реакции при температуре роста имеет порядок ~1022), на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом химического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~50 nm. Для роста пленок оксида цинка использовались пластины кремния ориентации (100) n- и p-типа проводимости. Эллипсометрический, рамановский, электронографический и микроэлементный анализы показали, что пленки ZnO являются эпитаксиальными. С.А. Кукушкин и А.В. Осипов благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-12-01102).
  1. V.A. Coleman, С. Jagadish. In: Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures / Ed. C. Jagadish, S.J. Pearton. Elsevier, Oxford (2006)
  2. C.F. Klingshirn, B.K. Meyer, A. Waag, A. Hoffmann, J. Geurts. Zinc Oxide. Springer, Berlin (2010). 359 p
  3. U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchiikov, S. Dovgan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041 301 (2005)
  4. K. Elmer. In: Handbook of Transparent Conductors / Ed. D.S. Ginley. Springer, N. Y. (2010). P. 193
  5. В.В. Антипов, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 58, 612 (2016)
  6. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024 909 (2013)
  7. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313 001 (2014)
  8. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  9. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Е.В. Осипова, С.В. Разумов, А.В. Кандаков. Опт. журн. 78, 7, 29 (2011)
  10. A.V. Osipov, S.A. Kukushkin, N.A. Feoktistov, E.V. Osipova, N. Venugopal, G.D. Verma, B.K. Gupta, A. Mitra. Thin Solid Films 520, 6836 (2012)
  11. T. Tynell, M. Karppinen. Semicond. Sci. Technol. 29, 043 001 (2014)
  12. И.Х. Акопян, В.Ю. Давыдов, M.Э. Лабзовская, М.Э. Лабзовская, А.А. Лисаченко, Я.А. Могунов, Д.В. Назаров, Б.В. Новиков, А.И. Романычев, А.Ю. Серов, А.Н. Смирнов, В.В. Титов, Н.Г. Философов. ФТТ 57, 1817 (2015)
  13. R. Kudrawiec, J. Misiewicz, L. Wachnicki, E. Guziewicz, M. Godlewsk. Semicond. Sci. Technol. 26, 075 012 (2011)
  14. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 761 (2014)
  15. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ПЖТФ 42, 4, 1 (2016)
  16. S. Adachi. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors: Numerical data and graphical information. Kluwer Academic Publishers, Boston (1999). 714 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.