Издателям
Вышедшие номера
Эпитаксиальный рост оксида цинка методом молекулярного наслаивания на подложках SiC/Si
Российский научный фонд, 14-12-01102
Кукушкин С.А.1,2,3, Осипов А.В.1,2, Романычев А.И.4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 8 декабря 2015 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2016 г.

Впервые выращены эпитаксиальные пленки оксида цинка на кремнии методом молекулярного наслаивания при T=250oC. Для того чтобы избежать химической реакции между кремнием и оксидом цинка (константа реакции при температуре роста имеет порядок ~1022), на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом химического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~50 nm. Для роста пленок оксида цинка использовались пластины кремния ориентации (100) n- и p-типа проводимости. Эллипсометрический, рамановский, электронографический и микроэлементный анализы показали, что пленки ZnO являются эпитаксиальными. С.А. Кукушкин и А.В. Осипов благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант N 14-12-01102).
  • V.A. Coleman, С. Jagadish. In: Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures / Ed. C. Jagadish, S.J. Pearton. Elsevier, Oxford (2006)
  • C.F. Klingshirn, B.K. Meyer, A. Waag, A. Hoffmann, J. Geurts. Zinc Oxide. Springer, Berlin (2010). 359 p
  • U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchiikov, S. Dovgan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041 301 (2005)
  • K. Elmer. In: Handbook of Transparent Conductors / Ed. D.S. Ginley. Springer, N. Y. (2010). P. 193
  • В.В. Антипов, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 58, 612 (2016)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024 909 (2013)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313 001 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Е.В. Осипова, С.В. Разумов, А.В. Кандаков. Опт. журн. 78, 7, 29 (2011)
  • A.V. Osipov, S.A. Kukushkin, N.A. Feoktistov, E.V. Osipova, N. Venugopal, G.D. Verma, B.K. Gupta, A. Mitra. Thin Solid Films 520, 6836 (2012)
  • T. Tynell, M. Karppinen. Semicond. Sci. Technol. 29, 043 001 (2014)
  • И.Х. Акопян, В.Ю. Давыдов, M.Э. Лабзовская, М.Э. Лабзовская, А.А. Лисаченко, Я.А. Могунов, Д.В. Назаров, Б.В. Новиков, А.И. Романычев, А.Ю. Серов, А.Н. Смирнов, В.В. Титов, Н.Г. Философов. ФТТ 57, 1817 (2015)
  • R. Kudrawiec, J. Misiewicz, L. Wachnicki, E. Guziewicz, M. Godlewsk. Semicond. Sci. Technol. 26, 075 012 (2011)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 761 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ПЖТФ 42, 4, 1 (2016)
  • S. Adachi. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors: Numerical data and graphical information. Kluwer Academic Publishers, Boston (1999). 714 p
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.