Вышедшие номера
Гексагональные двумерные слои соединений ANB8-N на металлах
Давыдов С.Ю.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 октября 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Методом сильной связи с использованием низкоэнергетического приближения получены аналитические выражения для плотностей состояний свободных графенободобных соединений ANB8-N и плоских и измятых (buckled) эпитаксиальных монослоев на металлической подложке. Анализируются характерные особенности плотностей состояний в функции от величины константы связи слой --- подложка и фактора измятости. Для свободных слоев сделаны оценки величин энергетических щелей и эффективной массы носителей. Для эпитаксиальных слоев выполнены оценки перехода заряда и энергии связи между слоем и подложкой.
  1. M. Xu, T. Liang, M. Shi, H. Chen. Chem. Rev. 113, 3766 (2013)
  2. A.K. Geim, I.V. Grigorieva. Nature 499, 419 (2013)
  3. Z. Sun, H. Chang. ASC Nano 8 (5), 4133 (2014)
  4. P. Li, I. Appelbaum. Phys. Rev. B 90, 115 439 (2014)
  5. S. Guan, S.A. Yang, L. Zhu, J. Hu, Y. Yao. arXiv: 1502.0232
  6. T. Brumme, M. Calandra, F. Mauri. arXiv: 1501.07223
  7. H. Sahin, S. Cahangirov, M. Topsakal, E. Bekaroglu, E. Akturk, R.T. Senger, S. Ciraci. Phys. Rev. B 80, 155 453 (2009)
  8. T. Suzuki, Y. Yokomizo. Physica E 40, 2820 (2010)
  9. S. Wang. J. Phys. Soc. Jpn. 79, 064 602 (2010)
  10. H.L. Zhuang, R.G. Hennig. Appl. Phys. Lett. 101, 153 109 (2012)
  11. G. Mukhopadhyay, H. Behera. World J. Eng. 10, 39 (2013)
  12. H.L. Zhuang, A.K. Singh, R.G. Hennig. Phys. Rev. B 87, 165 415 (2013)
  13. A.K. Singh, H.L. Zhuang, R.G. Hennig. Phys. Rev. B 89, 245 431 (2014)
  14. C.-J. Tong, H. Zhang, Y.-N. Zhang, H. Liu, L.-M. Liu. J. Mater. Chem. A 2, 17 971 (2014)
  15. R.M. Feenstra, D. Jena, G. Gu. J. Appl. Phys. 111, 043 711 (2012)
  16. J. Beheshtian, D.A. Sadeghi, M. Neek-Amal, K.H. Michel, F.M. Peeters. Phys. Rev. B 86, 195 433 (2012)
  17. M. Neek-Amal, F.M. Peeters. Appl. Phys. Lett. 104, 041 909 (2014)
  18. V. Zoliomi, J.R. Wallbank, V.I. Fal'ko. 2D Materials 1, 011 005 (2014)
  19. J.E. Padilha, A. Fazzio, A.J.R. da Silva. Phys. Rev. Lett. 114, 066 803 (2015)
  20. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник. Элементарное введение в теорию наноситем. Изд-во "Лань", СПб. (2014). 192 с
  21. С.Ю. Давыдов. Теория адсорбции: метод модельных гамильтонианов. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2013. 235 с. twirpx.com/file/1596114/
  22. A.H. Castro Neto, F. Guinea, N.M.R. Peres, R.S. Novoselov, A.K. Geim. Rev. Mod. Phys. 81, 109 (2009)
  23. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Мир, М. (1983), т. 1, 382 с
  24. W.A. Harrison. Phys. Rev. B 31, 2121 (1985)
  25. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. Метод связывающих орбиталей в теории полупроводников. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2007. 96 с. twirpx.com/file/1014608/
  26. H. Mousavi. ФТП 48, 636 (2015)
  27. Y. Zhang, Y.-W. Tan, H.L. Stormer, P. Kim. Nature 438, 201 (2005)
  28. N.M.R. Peres, F. Guinea, A.H. Castro Neto. Phys. Rev. B 73, 125 411 (2006)
  29. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. ФТТ, 57, 1654 (2015)
  30. S. Das Sarma, S. Adam, E.H. Hwang, E. Rossi. Rev. Mod. Phys. 83, 407 (2011)
  31. С.Ю. Давыдов. ФТП 46, 204 (2012)
  32. В.Ю. Ирхин, Ю.П. Ирхин. Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях. УрО РАН, Екатеринбург (2004). 472 с
  33. T.L. Einstein, J.R. Schrieffer. Phys. Rev. B 7, 3629 (1973)
  34. A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. Lett. 99, 076 802 (2007)
  35. K.T. Chan, L.B. Neaton, M.L. Cohen. Phys. Rev. B 77, 235 430 (2008)
  36. G. Giovannetti, P.A. Khomyakov, G. Brocks, V.M. Karpan, J. van der Brink, P.J. Kelly. Phys. Rev. Lett. 101, 026 803 (2008)
  37. Физические величины. Справочник. Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с
  38. С.Ю. Давыдов. ФТП 41, 718 (2007)
  39. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников. Мир, М. (1990). 488 с
  40. С.Ю. Давыдов. ФТП 47, 97 (2013)
  41. С.Ю. Давыдов. ФТТ 56, 1430 (2014)
  42. З.З. Алисултанов. Письма в ЖТФ 39, 13, 32 (2013)
  43. С.Ю. Давыдов. ФТТ 56, 816 (2014)
  44. З.З. Алисултанов. Письма в ЖЭТФ 98, 121 (2013)
  45. Z.Z. Alisultanov. Physica E 69, 89 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.