Вышедшие номера
Кинетические особенности формирования окисла на полярных плоскостях \111\ при анодной обработке n-GaAs
Орлов А.М.1, Явтушенко И.О.1, Махмуд-Ахунов М.Ю.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Email: yavigor@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2016 г.

Изучены механизм, кинетика анодного разрушения полярных плоскостей 111 n-GaAs и морфологические особенности формируемых окисных пленок при потенциостатическом режиме поляризации в слабокислых растворах электролитов. Установлено, что анодная поляризация галлиевой плоскости (111) Ga обеспечивает формирование пористой структуры как самой монокристаллической матрицы, так и окисной пленки, имеющей планарную топологию. При этом плотность пор всегда оказывается соизмеримой с поверхностной концентрацией легирующей примеси. Анодная поляризация мышьяковистой плоскости (111) As в отличие от галлиевой обеспечивает тангенциальный механизм разрушения полупроводниковой матрицы и островковую морфологию окисла. Одинаковая кристаллографическая ориентация островков определяется направляющим действием семейства окисляемых плоскостей 111 GaAs. Но независимо от кристаллографической ориентации полярной плоскости формируемый окисел представлен поликристаллическим As2O3 и аморфным Ga2O3.
  1. W. Zaghdoudi, M. Gaidi, R. Chtourou // J. Mater. Eng. Perform. 22, 869 (2013)
  2. M. Saad, M. Naddaf. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 24, 2254 (2013)
  3. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толюанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП 46, 278 (2012)
  4. В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толюанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП 45, 1130 (2011).
  5. Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. ФТП 31, 1383 (1997)
  6. Л.К. Орлов, Н.Л. Ивина. ФТТ 46, 913 (2004)
  7. Г.М. Мокроусов, О.Н. Зарубина. Изв. Томск. политех. ун-та 313, 25 (2008)
  8. Н.А. Торхов. ФТП 37, 1205 (2003)
  9. М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. Металлургия, М. (1984). 256 с
  10. Ю.П. Пшеничнов. Выявление тонкой структуры кристаллов: Справочник. Металлургия, М. (1974). 528 с
  11. Н.Г. Рябцев. Материалы квантовой электроники. Сов. радио, М. (1972). 384 с
  12. В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников. Наука, М. (1965). 338 с
  13. А.М. Орлов, И.О. Явтушенко, М.Ю. Махмуд-Ахунов. ФТТ 57, 1616 (2015)
  14. Н.П. Жук. Курс теории коррозии и защиты металлов. Металлургия, М. (1976). 472 с
  15. А.М. Орлов, И.О. Явтушенко, А.В. Журавлева. ЖТФ 80, 2, 60 (2010)
  16. Л.И. Миркин. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / Под ред. Я.С. Уманского. ГИФМЛ, М. (1961). 864 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.