Вышедшие номера
Частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов и проводимости кристаллов Tl6SI4
Мустафаева С.Н.1, Бабанлы Д.М.2, Асадов М.М.2, Тагиев Д.Б.2
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт катализа и неорганической химии НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

Экспериментальные результаты изучения частотных зависимостей диэлектрических характеристик и проводимости полученных кристаллов Tl6SI4 позволили установить природу диэлектрических потерь и прыжковый механизм переноса заряда, оценить параметры локализованных состояний в запрещенной зоне, такие как плотность состояний вблизи уровня Ферми и их энергетический разброс, среднее время и длину прыжков, а также концентрацию глубоких ловушек, ответственных за проводимость на переменном токе.